| 講演名 | 2000/10/12 GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用 山本 秀一郎, 船戸 充, 藤田 静雄, 藤田 茂夫, |
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| 抄録(和) | GaAs(001)基板上に10-20nmのAlAsバッファ層を介してGaNの有機金属気相成長を行うと、成長層は六方晶構造をとり、基板面と平行にGaN(0001)//GaAs(001)、垂直にh-GaN(1^^-21^^-0)//GaAs(110)、h-GaN(101^^-0)//GaAs(11^^-0)というエピ関係を持つことがわかった。基板傾斜により結晶性の向上が見られ、(100)面に対して約20°の傾斜を持つ(114)基板上に成長した場合に、X線ωスキャン測定における半値幅が55minと、(001)just基板上の場合の約14%にまで小さくなった。得られたh-GaN/GaAs構造を、AuGeを融着層としてSi基板と融着し、300℃以下で電気的な障壁がほとんどない界面を持つh-GaN/Siが得られた。 |
| 抄録(英) | Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN on AlAs buffer layer 10-20nm thick on GaAs(001) substrates results in hexagonal. GaN with epitaxial relationships of GaN(0001)//GaAs(001) in parallel to the substrate surface, and h-GaN(1^^-21^^-0)//GaAs(110) and h-GaN(101^^-0)//GaAs(11^^-0) in perpendicular to the substrate surface. The crystalline quality is improved by adopting off-angle substrates, e.g., on GaAs(114) which is inclined at about 20 degrees from (001) the full-width at half maximum in X-ray ω-scan diffraction curve is 55min, which is 14% of that on a GaAs(001)-just substrate. The h-GaN/GaAs structure is applicable to fabricate h-GaN/Si structure by Au-Ge-mediated wafer bonding with Si at the temperature lower than 300℃. |
| キーワード(和) | GaAs(001)基板 / 六方晶GaN / AlAsバッファ層 / 有機金属気相成長 / ウェハ融着 / GaN/Si |
| キーワード(英) | GaAs(001) substrate / hexagonal GaN / AlAs buffer layer / MOVPE / wafer bonding / GaN/Si |
| 資料番号 | ED2000-164,CPM2000-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/10/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hexagonal GaN on GaAs(001) Grown by MOVPE and Its Application to Formation of GaN/Si Structure by Wafer Bonding |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs(001)基板 / GaAs(001) substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 六方晶GaN / hexagonal GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlAsバッファ層 / AlAs buffer layer |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長 / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | ウェハ融着 / wafer bonding |
| キーワード(6)（和/英） | GaN/Si / GaN/Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 秀一郎 / Shuichiro YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru FUNATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 静雄 / Shizuo FUJITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤田 茂夫 / Shigeo FUJITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2000/10/12 |
| 資料番号 | ED2000-164,CPM2000-103 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 371 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |