講演名 | 2000/8/18 CPM2000-90 NbドープSrTiO_3薄膜の膜質に及ぼすMgO基板表面処理とポストアニールの影響 鈴木 崇司, 阿部 良夫, 川村 みどり, 佐々木 克孝, |
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抄録(和) | RFマグネトロンスパッタ装置により低抵抗NbドープSrTiO_3(STO:Nb)薄膜を得るため、基板として用いた単結晶(100)MgOの表面処理方法について検討した。結果、リン酸を用いたウェット洗浄は基板表面に凹凸を生じ、その上に成膜したSTO:Nb薄膜の平坦性を低下させるが、真空及び酸素中で900°C、1時間熱処理するサーマルクリーニングを行うと、基板及びSTO:Nb薄膜の平滑性が保たれることがわかった。特に、酸素中で熱処理したMgO基板を用いた試料においては、低抵抗で結晶性の良いSTO:Nb膜が得られた。また、STO:Nb膜形成後のポストアニールの雰囲気を検討した結果、真空中熱処理した試料は抵抗率0.02Ωcmと低抵抗だが、酸素中熱処理した試料では高抵抗を示し、STO:Nb薄膜の電気特性には、酸素欠陥が大きく影響すると考えられる。 |
抄録(英) | Nb doped SrTiO_3(STO : Nb)thin films with low resistivity were prepared by RF magnetron sputtering. Effects of surface treatment of MgO substrates were studied. Wet cleaning using phosphoric acid deteriorated the flatness of MgO substrates and STO : Nb films. On the other hand, thermal cleaning in vacuum or O_2 atmosphere kept the flat surface of MgO and STO : Nb films. Low resistivity and good crystallinity STO : Nb thin films were grown on O_2 annealed MgO substrate. Post annealing of STO : Nb thin films was carried out in vacuum and O_2 atmosphere, and a film with the resistivity of 0.02 Ω cm was obtained by vacuum annealing. However, since the resistivity became very high by O_2 annealing, oxygen defect in STO : Nb thin films is supposed to influence their electrical property. |
キーワード(和) | NbドープSrTiO_3 / MgO / 表面処理 / 平坦性 / 抵抗率 / 結晶性 / ポストアニール / 酸素欠陥 |
キーワード(英) | Nb doped SrTiO_3 / MgO / surface treatment / flatness / resistivity / crystallinity / post annealing / oxygen defect |
資料番号 | CPM2000-90 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2000/8/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | CPM2000-90 NbドープSrTiO_3薄膜の膜質に及ぼすMgO基板表面処理とポストアニールの影響 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | CPM2000-90 Effects of surface treatment of MgO substrate and post annealing on the film quality of Nb doped SrTiO_3 thin films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | NbドープSrTiO_3 / Nb doped SrTiO_3 |
キーワード(2)(和/英) | MgO / MgO |
キーワード(3)(和/英) | 表面処理 / surface treatment |
キーワード(4)(和/英) | 平坦性 / flatness |
キーワード(5)(和/英) | 抵抗率 / resistivity |
キーワード(6)(和/英) | 結晶性 / crystallinity |
キーワード(7)(和/英) | ポストアニール / post annealing |
キーワード(8)(和/英) | 酸素欠陥 / oxygen defect |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 崇司 / T. Suzuki |
第 1 著者 所属(和/英) | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Materials Science, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 阿部 良夫 / Y. Abe |
第 2 著者 所属(和/英) | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Materials Science, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 川村 みどり / K. Kawamura |
第 3 著者 所属(和/英) | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Materials Science, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 佐々木 克孝 / K. Sasaki |
第 4 著者 所属(和/英) | 北見工業大学工学部機能材料工学科 Department of Materials Science, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
発表年月日 | 2000/8/18 |
資料番号 | CPM2000-90 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 272 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |