| 講演名 | 2000/8/18 CPM2000-89 有機金属分解法を用いたチタン酸鉛薄膜形成と電気的特性評価 余湖 広充, 福田 永, 野村 滋, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年、ゲート部分に強誘電体材料を用いたFET型不揮発性メモリが注目を集めている。本研究では、FET型不揮発性メモリに着目し、有機金属分解法(MOD)で形成したチタン酸鉛(PbTiO_3)をゲート絶縁膜としたMFIS構造を作製した。また、SiとPbTiO_3膜のバッファ材料として、シリコン酸化膜(SiO_2)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)、酸化イットリウム(Y_2O_3)を検討した。その結果、PbTiO_3の強誘電性はほとんど失われていることが確認されたが、バッファ層にSrTiO_3又はY_2O_3を用いると非誘電率が増大(ε>240)することが確認された。 |
| 抄録(英) | The FET-type nonvolatile memories with ferroelectric material as the gate dielectric is now attracting the attention. In this study, we have fabricated the FET-type memories, namely MFIS-type devices using PbTiO3 by metalorganic decomposition(MOD). And SiO_2, SrTiO_3 and Y_2O_3 films are used as the buffer layer between PbTiO_3 and Si substrate. Almost no ferroelectric properties for the PbTiO_3 films are observed, but higher dielectric constant(ε>240)of PbTiO_3 was obtained using SrTiO_3 and Y_2O_3 buffer layers. |
| キーワード(和) | 不揮発性メモリ / PbTiO_3 / SrTiO_3 / Y_2O_3 / 誘電体薄膜 |
| キーワード(英) | nonvolatile memory / PbTiO_3 / SrTiO_3 / Y_2O_3 / thin dielectrics |
| 資料番号 | CPM2000-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/8/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CPM2000-89 有機金属分解法を用いたチタン酸鉛薄膜形成と電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CPM2000-89 Electrical properties of Ferroelectric PbTiO_3 thin Films formed by metalorganic decomposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | PbTiO_3 / PbTiO_3 |
| キーワード(3)（和/英） | SrTiO_3 / SrTiO_3 |
| キーワード(4)（和/英） | Y_2O_3 / Y_2O_3 |
| キーワード(5)（和/英） | 誘電体薄膜 / thin dielectrics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 余湖 広充 / Hiromitsu YOGO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/8/18 |
| 資料番号 | CPM2000-89 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |