| 講演名 | 2000/8/18 CPM2000-88 有機金属分解法を用いたジルコン酸鉛薄膜形成と電気的特性 中村 滋宏, 福田 永, 野村 滋, |
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| 抄録(和) | 現在、誘電率が高い材料をキャパシタの材料として用いたFET型不揮発性メモリが注目を集めている。このメモリは、FETのゲート部分に強誘電体を用いたので、高速、高密度、読み出しが非破壊であるだけでなく、1T型であるためスケーリング則に従い、高集積化に有利であるという利点を持つ。本研究では、このFET型不揮発性メモリに着目し、有機金属分解法(MOD)を用いて、Si基板上にチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr, Ti)O_3)の結晶成長を試みた。また、SiとPZTの界面反応を防ぐため、チタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)の絶縁体バッファ層を用いてMFIS構造を製作した。 |
| 抄録(英) | The present, nonvolatile FET memory that use the material of high dielectric constant is attracting the attention. This memory has ferroelectric films to gate dielectrics of FET. The FET has advantage such as is fast speed writing and read operation and, high pasking density read. In this study we have fabricated FET nonvolatile memory, with crystal Pb(Zr, Ti)O_3 film on Si basis by metalorganic decomposition(MOD)technique. And, we fabricate MFIS structure that we use SrTiO_3 insulation buffer as a layer, because it protect interfacial reaction of Si and PZT film. |
| キーワード(和) | 不揮発性メモリ / Pb(Zr, Ti)O_3 / SrTiO_3 |
| キーワード(英) | nonvolatile memory / Pb(Zr, Ti)O_3 / SrTiO_3 |
| 資料番号 | CPM2000-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/8/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CPM2000-88 有機金属分解法を用いたジルコン酸鉛薄膜形成と電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CPM2000-88 Electrical properties of Ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 thin Films formed by metalorganic decomposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | Pb(Zr, Ti)O_3 / Pb(Zr, Ti)O_3 |
| キーワード(3)（和/英） | SrTiO_3 / SrTiO_3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 滋宏 / Shigehiro NAKAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology. |
| 発表年月日 | 2000/8/18 |
| 資料番号 | CPM2000-88 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |