| 講演名 | 2000/8/18 CPM2000-86 シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶成長とその評価 山田 友和, 福田 永, 野村 滋, |
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| 抄録(和) | 近年、情報通信分野の爆発的な拡大に伴い、メモリ分野では、高速、大容量、不揮発性であるメモリが要求されている。本研究では、シリコン酸化膜中にナノメートルスケールのゲルマニウム(Ge)微結晶を作製することによって、微結晶サイズからくる量子効果を半導体メモリに応用させることを目的としている。Ge微結晶は有機金属分解法(MOD)およびイオン注入法を用いて作製した。作製した試料をラマン分光分析、二次イオン質量分析法(SIMS)およびX線光電子分光法(XPS)によりGe結晶性の評価を、電流-電圧(I-V)特性および容量-電圧(C-V)特性を測定することにより電気的特性の評価を行った。また、光学的特性を測定するためにフォトルミネッセンス(PL)による評価も行った。 |
| 抄録(英) | With expanding the information communication field rapidly in recent year, memory devices of high integration and non-volatility must be required in the device operation. In this study, we fabricated germanium(Ge)nanocrystals of nanometer scale embedded in silicon dioxide(SiO_2)film. The purpose of this study is to apply the quantum effect brought by the nanocryatal size to the semiconductor memory. Ge nanocrystals are fabricated by Metalorganic Decomposition(MOD)method and ion implantation. The Ge crystallinities are investigated on Raman spectroscopy analysis, secondary ion-mass spectrometry(SIMS), X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS), and electrical characteristics are investigated on measuring Current - Voltage(I-V)characteristics and Capacitance - Voltage(C-V)characteristics. Optical characteristics are also investigated on measuring Photo Luminescence(PL)spectra of the Ge nanocrystals. |
| キーワード(和) | シリコン / 酸化膜 / 微結晶 / ゲルマニウム |
| キーワード(英) | silicon / dioxide / nanocrystal / germaniumu |
| 資料番号 | CPM2000-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/8/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CPM2000-86 シリコン酸化膜中のゲルマニウム微結晶成長とその評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CPM2000-86 Growth and Characterization of Ge nanocrystals in SiO_2 Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化膜 / dioxide |
| キーワード(3)（和/英） | 微結晶 / nanocrystal |
| キーワード(4)（和/英） | ゲルマニウム / germaniumu |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 友和 / Tomokazu YAMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 滋 / Shigeru NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology. |
| 発表年月日 | 2000/8/18 |
| 資料番号 | CPM2000-86 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |