| 講演名 | 2000/8/18 CPM2000-85 Cu/SiO_2間におけるVN膜のバリヤ特性 佐藤 和美, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | Si-ULSIにおけるCu配線の形成には、フィールド酸化膜との間にバリヤ層が必要不可欠であり、このバリヤ材料として微結晶なVN膜の適用を検討した。VNバリヤは、窒化物としては低抵抗であり、CuおよびSiO_2との界面は、高温で熱処理した場合にも十分安定で、Cuの粒界拡散をも十分に抑制できることが判った。さらにVN膜は100Åまで薄層化した場合でも、700°CまでCuの拡散を抑制できる優れたバリヤ特性を示し、200°Cで成膜したVNバリヤも低抵抗(～76μΩcm)かつ高安定なバリヤ特性を示すことが確認された。 |
| 抄録(英) | The Cu metallization technology provides the necessity of very thin barrier layer between the Cu interconnet layer and SiO_2. We have examined the barrier properties of the VN films, which show a relatively low resistivity among nitrides, as a barrier layer. The thin VN barrier(100Å)is effective upon annealing at 700°C suppressing diffsion and/or reaction at every interface in the Cu/VN/SiO_2 system. Excellent barrier properties are also obtained in the VN barrier prepared at a low process temperature of 200°C. |
| キーワード(和) | Cu配線 / バリヤ / VN薄膜 / 薄層化 / 界面反応 |
| キーワード(英) | Cu metallization / barrier / VN thin film / very thin film / interfacial reaction |
| 資料番号 | CPM2000-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/8/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CPM2000-85 Cu/SiO_2間におけるVN膜のバリヤ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CPM2000-85 Barrier properties of VN thin films interposed between Cu and SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu metallization |
| キーワード(2)（和/英） | バリヤ / barrier |
| キーワード(3)（和/英） | VN薄膜 / VN thin film |
| キーワード(4)（和/英） | 薄層化 / very thin film |
| キーワード(5)（和/英） | 界面反応 / interfacial reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 和美 / Kazumi Satou |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Tecnology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Tecnology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi Noya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Tecnology |
| 発表年月日 | 2000/8/18 |
| 資料番号 | CPM2000-85 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |