| 講演名 | 2000/8/18 CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性 榊 秀善, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | Si-ULSIにおけるCu/SiO_2間のバリヤには、薄層化とともに作製温度の低温化が可能で、低抵抗な材料であることが望まれる。本研究では、それらの要請を踏まえて、全域固溶系であるTa-W合金膜のバリヤ特性を検討した。Cu/Ta-W(1000Å)/SiO_2構造において、Ta-W合金膜の組成を変化させてその特性を検討した結果、Ta0.5W0.5を適用した場合にTa及びW単体バリヤの欠点を相補い、系を800°Cまで安定に保持し、かつSiO_2との付着力に寄与する適度な酸化-還元反応も得られることがわかった。さらに、この系はEM耐性向上に有効なCu(111)面の優先配向も同時に達成できた。また、Ta-W合金膜は低温でかつ極薄化(200Å)させた場合でも十分に安定なバリヤであり、かつ低抵抗(～49μΩcm:200°C成膜)な材料であることから、Cu/SiO_2間のバリヤとして極めて有用な材料の1つとなり得ることがわかった。 |
| 抄録(英) | As a diffusion barrier between Cu and SiO_2 in Si-ULSI, a very thin barrier with a low resistivity is required to be formed at a low process temperature. We have examined the characteristics of Ta-W alloy films, which form a substitutional solid solusion, and applied the alloy film to the barrier in the Cu/Ta-W/SiO_2 system. The resistivity of the Ta-W alloy is at most 49 μ Ωcm for films deposited at 200°C. The excellent barrier properties and the preferentially oriented Cu(111)layer are obtained for the thin(200Å)barrier configuration prepared at a low process temperature of 200°C. |
| キーワード(和) | Cu配線 / バリヤ / Ta-W合金膜 / bcc構造 / 低抵抗 / 優先配向 |
| キーワード(英) | Cumetallization / barrier / Ta-W alloy film / bcc structure / low resistivity / preferential orientation |
| 資料番号 | CPM2000-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/8/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CPM2000-84 Barrier properties of Ta-W alloy films interposed between Cu and SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cumetallization |
| キーワード(2)（和/英） | バリヤ / barrier |
| キーワード(3)（和/英） | Ta-W合金膜 / Ta-W alloy film |
| キーワード(4)（和/英） | bcc構造 / bcc structure |
| キーワード(5)（和/英） | 低抵抗 / low resistivity |
| キーワード(6)（和/英） | 優先配向 / preferential orientation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 榊 秀善 / Hideyoshi SAKAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/8/18 |
| 資料番号 | CPM2000-84 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |