講演名 | 2000/5/12 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長 K バラクリシュナン, 飯田 晋, 小山 忠信, 熊川 征司, 早川 泰弘, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | さまざまな形状の(100)GaAs基板上にInxGa1-xAs(x=0.06)層を液相成長法により成長させ、それらの成長モホロジーを比較検討した。平坦基板上のInGaAs層はテント構造となった。円形の窓をあけた基板上には、内部がつまったピラミッド構造のInGaAsが成長した。しかし、溝を形成した基板を用いると、成長層は基板の溝側面から<111>方向に斜めに成長し、最終的に{111}面で囲まれた内部に空洞を有するピラミッドが形成した。 |
抄録(英) | Growth of In_xGa_<1-x>As(x=0.06)layers on various types of patterned(100)GaAs substrates by liquid phase epitaxy(LPE)has been investigated. Non-planar InGaAs layer having filled tent-like structure was grown on non-patterned substrate. When the InGaAs was grown on circular patterned substrate, a non-hollow pyramid structure was obtained. Perfect hollow pyramid structured InGaAs was found to be grown on trench-substrates of(100)GaAs. |
キーワード(和) | 液相成長法 / インジウムガリウムヒ素 / (100)ガリウムヒ素基板 / ピラミッド構造 |
キーワード(英) | LPE / InGaAs / (100)GaAs substrate / pyramid stucture |
資料番号 | ED2000-43, CPM2000-28, SDM2000-43 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
---|---|
開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Study on the LPE growth of InGaAs pyramidal layers on(100)GaAs substrates |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 液相成長法 / LPE |
キーワード(2)(和/英) | インジウムガリウムヒ素 / InGaAs |
キーワード(3)(和/英) | (100)ガリウムヒ素基板 / (100)GaAs substrate |
キーワード(4)(和/英) | ピラミッド構造 / pyramid stucture |
第 1 著者 氏名(和/英) | K バラクリシュナン / K Balakrishnan |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 飯田 晋 / S Iida |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka university |
第 3 著者 氏名(和/英) | 小山 忠信 / T Koyama |
第 3 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 熊川 征司 / M Kumagawa |
第 4 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 早川 泰弘 / Y Hayakawa |
第 5 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
発表年月日 | 2000/5/12 |
資料番号 | ED2000-43, CPM2000-28, SDM2000-43 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 60 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |