| 講演名 | 2000/5/12 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長 中村 徹郎, 早川 泰弘, K.Balakrishnan, 柴田 尚弘, 小松 秀輝, 村上 倫章, 山田 哲生, D.Krishnamurthy, 小山 忠信, 宮澤 政文, 熊川 征司, |
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| 抄録(和) | 航空機のパラボリックライトの際に生じる微小動環境を利用した実験と、その比較のための地上参照実験を行い、InGaSbの結晶成長に及ぼす重力効果を調べた。電気炉中央部で試料を溶解させた後、10^<-2>G状態に達した時に試料を電気炉の外部に移動させ、冷却することでInGaSbを結晶成長させた。実験後の試料の組成比分布をEPMAを用いて分析した。航空機を利用した微小重力実験試料には大きな針状結晶が存在しているのに対して、地上実験試料の方には非常に小さな針状結晶が多数存在していることがわかった。微小重力環境下と1G環境下では熱対流が異なるためであると考えられる。微小重力環境下において大型のInGaSb単結晶を成長させ得る可能性が判明した。 |
| 抄録(英) | Recrystallization studies were done at areduced gravity level of 1^<-2>G- for 20 seconds using an airplane and at normal gravity conditions on earth.After the heating and cooling processes, samples were analyzed by EPMA.The obtained results are:(1)there were large needle crystals in the 10^<-2>G-processed sample;(2)there were many small needle crystals in the 1G-processed sample, because the convection under 10^<-2> condition is different from that under 1G condition. These results show that it is possible to grow large InGaSb single crystals under the reduced gravity condition. |
| キーワード(和) | 航空機 / 微小重力 / インジウムガリウムアンチモン / 結晶成長 / 針状結晶 |
| キーワード(英) | Airplane / Microgravity / InGaSb / Growth / Needle crystal |
| 資料番号 | ED2000-42, CPM2000-27, SDM2000-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InGaSb under Reduced Gravity using an Airplane and 1G conditions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 航空機 / Airplane |
| キーワード(2)（和/英） | 微小重力 / Microgravity |
| キーワード(3)（和/英） | インジウムガリウムアンチモン / InGaSb |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶成長 / Growth |
| キーワード(5)（和/英） | 針状結晶 / Needle crystal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 徹郎 / T Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y Hayakawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | K.Balakrishnan / K Balakrishnan |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柴田 尚弘 / N Shibata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小松 秀輝 / H Komatsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 村上 倫章 / N Murakami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山田 哲生 / T Yamada |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | D.Krishnamurthy / D Krishnamurthy |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T Koyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 宮澤 政文 / M Miyazawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Shizuoka Univ.Faculty of Eng.Research Institute of Electrinics, Shizuoka University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M Kumagawa |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 R.I.E., Shizuoka Univ., Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-42, CPM2000-27, SDM2000-42 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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