| 講演名 | 2000/5/12 MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長 増田 雅子, 桑原 憲弘, 福家 俊郎, 高野 泰, |
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| 抄録(和) | 減圧 MOCVD 装置を用い、グレーデット法で(100)just GaAs 基板上と[001]へ2゜オフした(100)GaAs基板上に成長させたlnGaAsについて比較を行った。just基板とoff基板上に同時に成長させた。ln組成0.2までのサンプルについては、鏡面で微分干渉顕微鏡でクロスハッチパターンが観察され、ステップフロー成長していることが確認された。また、線折装置を用いてFWHM及び曲率半径を測定した結果、just基板を用いたときよりもoff基板を用いたときの方がFWHMが小さく曲率半径が大きかった。ln組成0.38、0.51でも実験を行ったが、ln組成0.38ではモロホロジーが改善された。x線測定から求めた曲率半径はln組成0.38、0.51ではoff基板を用いた効果が見られなかった。 |
| 抄録(英) | We have investigated InGaAs layers grown on GaAs(100)just substrates and on GaAs(100)substrates misoriented 2゜toward[001]using graded buffer layers by metal organic chemical vapor deposition. The crosshatch pattem was observed for In_<0.15>Ga_<0.85>As and In_<0.2>Ga_<0.8>As layers, and step flow growth was confirmed for the layers on misoriented substrates by atomic force microscopy. The employment of misoriented substrates decreased the FWHM of the x-ray rocking curve of the InGaAs layer and increased the radius of curvature of the sample. But no effect of substrate misorientation on and the radius of curvature of the In_<0.38>Ga_<0.62>As and In_<0.51>Ga_<0.49>As was observed. |
| キーワード(和) | InGaAs / MOCVD / グレードデット法 / GaAsオフ基板 / FWHM / 曲率半径 / 表面モホロジー |
| キーワード(英) | InGaAs / MOCVD / graded buffer / misoriented substrate / FWHM / radius of curvature |
| 資料番号 | ED2000-41, CPM2000-26, SDM2000-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InGaAs layer on GaAs off substrates by metal organic chemical vapor deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | グレードデット法 / graded buffer |
| キーワード(4)（和/英） | GaAsオフ基板 / misoriented substrate |
| キーワード(5)（和/英） | FWHM / FWHM |
| キーワード(6)（和/英） | 曲率半径 / radius of curvature |
| キーワード(7)（和/英） | 表面モホロジー |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 雅子 / M Masuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 桑原 憲弘 / K Kuwahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / S Fuke |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Elgineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Y Takano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-41, CPM2000-26, SDM2000-41 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |