| 講演名 | 2000/5/12 プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成 野中 秀紀, 村松 隆広, 徐 應瑜, 安間 英任, 青木 徹, 畑中 義式, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年、プラスチック材料が多く用いられるようになってきている。しかし、プラスチックは、紫外線によって劣化し、また機械的強度が低い。よって、我々はプラスチック材料の表面にSiC薄膜を形成し、保護することを試みた。SiC薄膜の原料として安全性の高いヘキサメチルジシラン(HMDS, Si_2(CH_3)_6)を使用し、カソード型プラズマCVD法により形成した。カソードを金属メッシュで覆うことにより、堆積薄膜の中の炭化水素成分の減少が見られた。また、SiC薄膜の堆積により、プラスチックの耐UV性が向上した。 |
| 抄録(英) | The plastic material is used for various purposes. However, it deteriorates by ultravioet ray, and is weak for mechanical strength. Therefore, Characteristics of the protection of the plastic surface have been investigated by coating SiC thin film on the plastic. Films were deposited cathode plasma CVD method using hexamethyledisilane(HMDS, Si_2(CH_3)_6). SiC films were developed high quality by using the stainless mesh. Resistant of the plastic for UV light was increased by coating the SiC film. |
| キーワード(和) | プラズマCVD / ヘキサメチルジシラン / SiC膜 / 金属メッシュ |
| キーワード(英) | Plasma CVD / Hexamethyldislane / SiC film / Stainless meth |
| 資料番号 | ED2000-38, CPM2000-23, SDM2000-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SiC thin films deposition by plasma CVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマCVD / Plasma CVD |
| キーワード(2)（和/英） | ヘキサメチルジシラン / Hexamethyldislane |
| キーワード(3)（和/英） | SiC膜 / SiC film |
| キーワード(4)（和/英） | 金属メッシュ / Stainless meth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野中 秀紀 / H Nonaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 Research Institute of Electronics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村松 隆広 / T Muramatsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 Research Institute of Electronics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徐 應瑜 / Y Xu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安間 英任 / H Anma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学(株)小糸製作所 KOITO Manufacturing co., ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T Aoki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 Research Institute of Electronics |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y Hatanaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 電子科学研究科 Research Institute of Electronics, Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-38, CPM2000-23, SDM2000-38 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |