| 講演名 | 2000/5/12 窒化酸化における窒素の導入過程と膜構造へ与える効果の検討 川[サキ] 聡, 鈴木 勝之, 齋藤 洋司, |
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| 抄録(和) | 高信頼性ゲート絶縁膜として、シリコン窒化酸化膜が注目されているが、その形成過程は確定されていない。本研究では、励起窒素ガスを用いて窒化を行い、その後励起酸素ガスを用いて酸化を行うという形成過程で窒化酸化膜を作製した。その膜を角度分昭型X線光電子分光分析により解析し、窒素の存在状態の解明を試みた。窒素とシリコンの結合状態は、700℃の場合N-Si_3結合が大部分を占めるが、800℃の場合N-Si_2結合とN-Si結合が存在する事が分かった。しかし、窒素濃度が減少しなかった事から強固なSi-N結合手が存在するためにシリコン窒化膜は安定してる事が分かった。 |
| 抄録(英) | Although silicon oxynitride films have drawn attention as high-quality gate dielectrics, their growth process is not clear. In this work, we tried direct oxynitridation of silicon by excited oxygen gaseous afterward nitridation of silicon by excited nitrogen gaseous, and to investigate the existing structures of nitrogen by angle resoleved x-ray photoelectron spectroscopy. Bonding structures of nitrogen and silicon become N-Si_3 bonding becomes to dominate the surface structure at 700℃, but N-Si_2 and N-Si bonding structures which are not stable become to increase at 800℃.But silicon nitride films becones to firm because Si-N bonding hands exist that nitrogen concentration don't decrease. |
| キーワード(和) | 窒化酸化膜 / 励起窒素 / 励起酸素 / 角度分解型X線光電子分光法 |
| キーワード(英) | oxynitride film / excited nitrogen / excited oxygen / angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy |
| 資料番号 | ED2000-37, CPM2000-22, SDM2000-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化酸化における窒素の導入過程と膜構造へ与える効果の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Industry growth process of nitrogen at oxynitridation, and effect to the composition of film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化酸化膜 / oxynitride film |
| キーワード(2)（和/英） | 励起窒素 / excited nitrogen |
| キーワード(3)（和/英） | 励起酸素 / excited oxygen |
| キーワード(4)（和/英） | 角度分解型X線光電子分光法 / angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川[サキ] 聡 / Akira Kawasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 勝之 / Masayuki Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Emgineering and Ekectronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 洋司 / Yoji Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-37, CPM2000-22, SDM2000-37 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |