| 講演名 | 2000/5/12 フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス(2) 徳田 浩一, 井部 辰也, 齋藤 洋司, |
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| 抄録(和) | 集積回路中のpチャネルMOSFETにおいて、多結晶シリコンゲート電極中のボロンが、薄い酸化膜を突き抜けてシリコン基板中に拡散し、MOSFETの闘値電圧を変動させる問題が生じている。現在、このボロンの拡散を抑制するために、シリコン酸化膜表面の窒化が要求されている。そこで我々は、酸化膜をフッ素処理した後、プラズマ励起した窒素中にさらす事で、シリコン酸化膜の表面窒化を行った。本報告では、表面窒化を行った酸化膜についての、窒素とフッ素の深さの深さ方向濃度分布をX線光電子分光法で分析した。また、表面窒化を行った酸化膜を用いてMOSキャパシタを作製し、電気的特性を調べた。 |
| 抄録(英) | In p-chanel MOSFETs, Boron dopant penetration through the thin gate oxide changes threshold voltage. Surface nitridation of silicon oxide is will be effective to suppress the boron penetration. In this paper, we tried surface nitridation of silicon oxide by the exposure to fluorine and to remote-plasma-excited nitrogen. we investigated depth profile of nitrogen and fluorine in the nitrided oxide by angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy. Moreover, we fabricated MOS capacitors with the nitrided oxide and measured high-frequency C-V characteristics. |
| キーワード(和) | 酸化膜 / 表面窒化 / フッ素 / X線光電子分光法 |
| キーワード(英) | oxide / surface nitridation / fluorine / x-ray photoelectron spectroscopy |
| 資料番号 | ED2000-36, CPM2000-21, SDM2000-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス(2) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface nitridation process of silicon dioxide by fluorine and excited nitrogen treatment(2) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化膜 / oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 表面窒化 / surface nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | フッ素 / fluorine |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光法 / x-ray photoelectron spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳田 浩一 / Koichi Tokuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井部 辰也 / Tatsuya Ibe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 洋司 / Yoji Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikie University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-36, CPM2000-21, SDM2000-36 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |