講演名 | 2000/5/12 三フッ化アセチルフロライドを用いたシリコン系材料のエッチング 齋藤 洋司, 山崎 博史, 毛利 勇, |
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抄録(和) | 地球温暖化効果を引き起こさないシリコン材料エッチング用ガスとして分解・回収の容易な三フッ化アセチルフロライドガスを提案する。本報告では、リモートプラズマ励起しながら酸素を少量混合することにより、エッチング速度が高められ、同様な条件でのCF_4/O_2やC_2F_6/O_2系よりも反応性が高いことを示す。プラズマ発光分析により推定したフッ素濃度の酸素分圧依存性と試料表面の光電子光分析より、酸素添加効果は主に表面に吸着したフロロカーボン層の除去であると推定された。 |
抄録(英) | We propose reactive gases, which can be easily decomposed, as the etching gas to avoid"greenhouse effects". In this report, the etching reaction between silicon and the trifluoro-athetyl-fluoride(CF_3COF)gas is demonstrated, using remote-plasma at room temperature. The etching reaction is significantly enhanced by the addition of oxygen and the remote-plasma-excitation. The etch rate of silicon and oxide by CF_3COF / O_2 is larger than that by CF_4 / O_2 and C_2F_6 / O_2 at the same O_2 content. According to the optical emission study, however, the density of excited fluorine decreases in the plasma by the added oxygen into the CF_3COF system. Photoelectron studies indicate that the major role of the additional oxygen is to remove the deposited fluorocarbon films from the surfaces. |
キーワード(和) | 地球温暖化 / アセチルフロライド / シリコン / ドライエッチング / リモートプラズマ |
キーワード(英) | greenhouse effect / trifluoro athetyl fluoride / sillcon / dry etching / remote plasma |
資料番号 | ED2000-35, CPM2000-20, SDM2000-35 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 三フッ化アセチルフロライドを用いたシリコン系材料のエッチング |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Etching of silicon related materials using trifluoro-athetyl-fluoride gas |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 地球温暖化 / greenhouse effect |
キーワード(2)(和/英) | アセチルフロライド / trifluoro athetyl fluoride |
キーワード(3)(和/英) | シリコン / sillcon |
キーワード(4)(和/英) | ドライエッチング / dry etching |
キーワード(5)(和/英) | リモートプラズマ / remote plasma |
第 1 著者 氏名(和/英) | 齋藤 洋司 / Yoji Saito |
第 1 著者 所属(和/英) | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical Engineering and Electronics, Seikei University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 山崎 博史 / Hirofumi Yamazaki |
第 2 著者 所属(和/英) | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical Engineering and Electronics, Seikei University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 毛利 勇 / Isamu Mouri |
第 3 著者 所属(和/英) | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical Engineering and Electronics, Seikei University |
発表年月日 | 2000/5/12 |
資料番号 | ED2000-35, CPM2000-20, SDM2000-35 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 60 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |