| 講演名 | 2000/5/12 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究 中村 篤志, 野田 大二, 青木 徹, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマ励起MOCVD法を用いてCdTe基板上にp形CdZnTe、n形CdSeTe薄膜をエピタキシャル成長した。窒素ラジカルをドーパントとしてp形CdZnTe薄膜を得ることが出来、ヨウ素をドーパントとしてn形CdSeTe薄膜を得ることが出来た。これらを用いてデバイスを作製したところダイオード特性を得ることが出来、逆方向電圧250V以上の高電界をかけられる素子を作製することが出来た。また、エキシマレーザーを用いて基板側面をアブレーションし、クリーニングすることでデバイス特性を向上できることがわかった。 |
| 抄録(英) | The p-type CdZnTe and n-type CdSeTe were grown on CdTe substrate by remote plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition(RPE-MOCVD). Nitrogen radical incorporated in the film acted as an accepter of p-type CdZnTe film. Iodine was used for donor of n-type CdSeTe film. The resulted diodes showed good I-V characteristics. Especially, very low leakage current was observed at the high reverse bias voltage of 250V. Furthermore excimer laser was radiated in order to clean the surface, resulting in the improvement of the device characteristics. |
| キーワード(和) | リモートプラズマ励起MOCVD法 / CdZnTe / CdSeTe / エキシマレーザー |
| キーワード(英) | RPE-MOCVD / CdZnTe / CdSeTe / excimer laser |
| 資料番号 | ED2000-34, CPM2000-19, SDM2000-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Room Temperature, High-Resolution Detector for High-energy radiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマ励起MOCVD法 / RPE-MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | CdZnTe / CdZnTe |
| キーワード(3)（和/英） | CdSeTe / CdSeTe |
| キーワード(4)（和/英） | エキシマレーザー / excimer laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / A Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野田 大二 / D Noda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y Hatanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-34, CPM2000-19, SDM2000-34 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |