| 講演名 | 2000/5/12 MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性 ヘムザ ビン サミオン, 富田 泰光, 増田 祐輔, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長(MOVPE)法により成長したCdS層の成長特性について検討した.成長基板には(100)GaAs基板を用い, 原料はジメチルカドウム(DMCd)及びH_2Sを用いた.CdS層は, 成長温度250～350℃では立方晶が成長し, 350℃の温度域では六方晶が混在することが分かった.成長温度300℃で単結晶の立方晶CdS層をバッファ層として成長した後, 450℃でCdS層を再成長することにより, 良好な結晶性を持った立方晶のCdS層が得られることが分かった。 |
| 抄録(英) | Growth characteristics of CdS layers on(100)GaAs have been studied in MOVPE using dimethylcadmium(DMCd)and hydrogen sulphide(H_2S)as precursors. Grown layers showed cubic phase for growth temperature between 250 and 350℃ and mixed phase of cubic and hexagonal above 350℃. High quality cubic CdS layers were obtained by two-step growth procedure, where is the single crystal cubic CdS layers were grown at 300℃ as buffer layers, and second layers were grown on them at 450℃. |
| キーワード(和) | MOVPE / 成長特性 / DMCd / H_2S / 立方晶CdS |
| キーワード(英) | MOVPE / growth characteristics / DMCd / H_2S / cubic CdS |
| 資料番号 | ED2000-33, CPM2000-18, SDM2000-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth characteristics of CdS layers on(100)GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | 成長特性 / growth characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | DMCd / DMCd |
| キーワード(4)（和/英） | H_2S / H_2S |
| キーワード(5)（和/英） | 立方晶CdS / cubic CdS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ヘムザ ビン サミオン / H.B.Samion H |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富田 泰光 / Yasumitsu Tomita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 祐輔 / Yusuke Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-33, CPM2000-18, SDM2000-33 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |