講演名 | 2000/5/12 CuGaS_2の選択成長によるSiO_2埋め込み構造の作製 池田 暁光, 日比 正徳, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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抄録(和) | 転位の減少および結晶性の向上を目的として開管式ヨウ素輸送法により、SiO_2マスクによるCuGaS_2の選択成長を行った。ドットパターンの選択成長では、選択性はヨウ素濃度に依存した。成長結晶は、CVTによるCuGaS_2と同様の{112}、{011}ファセットが認められた。またライン&スペースパターンでは、ヨウ素濃度とマスクパターンの方向を最適化することで、選択横方向成長によりSiO_2埋め込み構造が得られた。この結晶のX線ロッキングカーブによる半値幅は、CVT基板とほぼ同等であった。 |
抄録(英) | Selective area growth(SAG)of CuGaS_2 using SiO_2 mask by open-tube iodine transport method was studied for reducing dislocation density and improving crystalline quality. Selectivity of SAG using a dot patte depended on iodine concentration. The grown crystal had{112}and{011}facets which are observed in CVT-grown CuGaS_2. Optimizing conditioms of iodine concentration and mask pattern direction, buried SiO_2 structure was obtained by epitaxial lateral overgrowth(ELO)using a stripe pattern. FWHM of x-ray rocking curve was nearly same as that of a CVT grown substrate. |
キーワード(和) | 開管式ヨウ素輸送法 / CuGaS_2 / 選択成長 / 選択横方向成長 |
キーワード(英) | Open-tube iodine transport method / CuGaS_2 / Selective area growth / Epitaxial lateral over growth |
資料番号 | ED2000-32, CPM2000-17, SDM2000-32 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | CuGaS_2の選択成長によるSiO_2埋め込み構造の作製 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Growth of CuGaS_2 with buried SiO_2 structure by Epitaxial lateral overgrowth |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 開管式ヨウ素輸送法 / Open-tube iodine transport method |
キーワード(2)(和/英) | CuGaS_2 / CuGaS_2 |
キーワード(3)(和/英) | 選択成長 / Selective area growth |
キーワード(4)(和/英) | 選択横方向成長 / Epitaxial lateral over growth |
第 1 著者 氏名(和/英) | 池田 暁光 / Akimitsu Ikeda |
第 1 著者 所属(和/英) | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 日比 正徳 / masanori Hibi |
第 2 著者 所属(和/英) | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
第 3 著者 所属(和/英) | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
第 4 著者 所属(和/英) | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
発表年月日 | 2000/5/12 |
資料番号 | ED2000-32, CPM2000-17, SDM2000-32 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 60 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |