講演名 2000/5/12
格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
土屋 健司, Wu Xiaoping, 若原 昭浩, 吉田 明,
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抄録(和) β-FeSi_2のバンド構造を第1原理計算により理論的に検討した。バンド構造に与える格子歪の影響について、格々の結晶軸に対して検討を行なった。無歪の状態では、バンド構造は、価電子帯の頂部がY点、伝導体の底がΓ-Z間に存在する間接遷移であった。結晶のa軸の方向に引張り歪が加わった場合あるいは、c軸方向に圧縮歪が加わると、価電子帯の頂部がΓ-Z間に変化して、直接遷移に変化することがわかった。また、Si(100)に整合させた場合、b、c軸が圧縮、a軸が伸長するため直接遷移となることがわかった。
抄録(英) Effect of lattice strain on the band structure of b-FeSi2 is investigated by using first principle calculation based on the density function theory. The band structure is indirect when the crystal is strain free. On the other hand, the band structure changes to direct transition, if the a-axis is stretched or c-axis is compressed. In the case of b-FeSi2 psuedomorphic layer grown on Si(100), the predicted band structure is direct transition.
キーワード(和) β-FeSi_2 / バンド構造 / 第1原理計算 / 格子歪
キーワード(英) β-FeSi_2 / band structure / first principle calculation / lattice strain
資料番号 ED2000-31, CPM2000-16, SDM2000-31
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2000/5/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Theoretical analysis of band structure of strained β-FeSi_2
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) β-FeSi_2 / β-FeSi_2
キーワード(2)(和/英) バンド構造 / band structure
キーワード(3)(和/英) 第1原理計算 / first principle calculation
キーワード(4)(和/英) 格子歪 / lattice strain
第 1 著者 氏名(和/英) 土屋 健司 / Kenji Tsuchiya
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) Wu Xiaoping / Xiaoping Wu
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 吉田 明 / Akira Yoshida
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technoligy
発表年月日 2000/5/12
資料番号 ED2000-31, CPM2000-16, SDM2000-31
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 60
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日