| 講演名 | 2000/5/12 ZnO薄膜の伝導型制御 ナッタウット ブッタラート, アラン ビール シン, 廣江 吉倫, 若原 昭浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | スパッタ法により、窒化物の GaN ドープのp型 ZnO を作製した。また、GaN の添加量による ZnO 特性変化を調べた。その結果、GaN 添加量 10[%]以上で、基板温度 200[℃]において抵抗率37.6[Ωcm]、キャリア濃度9×10^<15>[cm^<-3>], 移動度18.5[cm^2/V・s]の電気特性を持ったp型ZnOが得られた。本研究により、スパッタ法で同時ドーピングを行うことにより、初めてp型ZnOの作製ができることを示した。 |
| 抄録(英) | In this research, we deposited ZnO thin films by sputtor method using ZnO target doped with N and Ga. In this experiment area ratio of ZnO target and GaN pieces was 9:1. We obtained p-type Zinc Oxide thin film. Resistivity, carrier concentration and mobility were 37.6[Ωcm], 9×10^<15>[cm^<-3>]and 18.5[cm^2 / V・s], respectively. |
| キーワード(和) | p型ZnO薄膜の作製 / スパッタ法 |
| キーワード(英) | Transparent conducting ZnO / Sputter |
| 資料番号 | ED2000-30, CPM2000-15, SDM2000-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnO薄膜の伝導型制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Conductivity type control of ZnO |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型ZnO薄膜の作製 / Transparent conducting ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタ法 / Sputter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ナッタウット ブッタラート / Nattawuth Buthrath |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | アラン ビール シン / Singh Aran Vir |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 廣江 吉倫 / Yoshihito Hiroe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2000/5/12 |
| 資料番号 | ED2000-30, CPM2000-15, SDM2000-30 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |