講演名 2000/5/12
反応性シールド型真空アークイオンプレーティングによるZnO膜生成
木村 圭作, 宮野 竜一, 滝川 浩史, 榊原 建樹,
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抄録(和) シールド型とステアド型とを併用した真空アーク蒸着装置を用いてZnO膜をガラス基板上に生成した。成膜時のアーク電流についてはDC30Aとした。陰極表面上で陰極点を駆動させるために陰極背面に配置する磁石は, 2種類(弱磁石, 強磁石:磁束密度で区別)とした。さらに, 成膜圧力を0.1~5.0Paの範囲で変化させた。以上の条件で成膜した膜について以下のことが分かった。X線回折で結晶性を分析したところ, 全ての膜はZnO(200)のピークが強い, いわゆるc軸配向した多結晶膜であった。透過率の計測から, 弱磁石と強磁石のどちらの磁石を使用した場合も, 圧力0.5および3.0Paにおいて可視光領域で透過率の高い透明膜となることがわかった。四端子法で抵抗率を計測したところ, 強磁石の場合, 成膜圧力を増加させると, 低効率は10^<-3>から15Ωcmに変化することがわかった。一方, 弱磁石の場合, 抵抗率10^<-3>Ωcm台の膜を0.1~1.0Paの広い圧力範囲に渡って生成することができた。
抄録(英) Zinc oxide thin films were prepared on a borosilicate glass substrate by a steered and shielded reactive vacuum arc deposition method. The cathode spot was driven on a cathode surface using weak and strong permanent magnets, placed behind the cathode. The arc was operated at DC 30 A and the in-process pressure was varied from 0.1 to 5.0 Pa.All films had a strong ZnO(200)peak, indicating c-axis orientation. Highly transparent films in visual region were obtained at 0.5 and 3.0 Pa with both weak and strong magnets. With the strong magnet, elcetric resistivity varied from 10^<-3> to 15 Ω cm as the pressure increased. However, with the weak magnet, resistivity on the order of 10^<-3> Ω cm order was obtained over a wide pressure range of 0.1 to 1.0 Pa.
キーワード(和) 真空アークイオンプレーティング / 酸化亜鉛膜 / 結晶性 / 光学特性 / 電気抵抗率
キーワード(英) vacuum are deposition / zinc oxide thin film / crystalline and optical properties / electric resistivity
資料番号 ED2000-29, CPM2000-14, SDM2000-29
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2000/5/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 反応性シールド型真空アークイオンプレーティングによるZnO膜生成
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication zinc oxide thin films by reactive sihilded vacuum arc ion plating
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 真空アークイオンプレーティング / vacuum are deposition
キーワード(2)(和/英) 酸化亜鉛膜 / zinc oxide thin film
キーワード(3)(和/英) 結晶性 / crystalline and optical properties
キーワード(4)(和/英) 光学特性 / electric resistivity
キーワード(5)(和/英) 電気抵抗率
第 1 著者 氏名(和/英) 木村 圭作 / Keisaku Kimura
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 宮野 竜一 / Ryuichi Miyano
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 滝川 浩史 / Hirofumi Takikawa
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 榊原 建樹 / Tateki Sakakibara
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
Department of Electrical and Electronic Engineering Toyohashi University of Technology
発表年月日 2000/5/12
資料番号 ED2000-29, CPM2000-14, SDM2000-29
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 60
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日