| 講演名 | 2000/6/16 CPM2000-31 Thin gate SiC Schottky diode: Study on yield and Characterization for Sensor application , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this report deals with successful operation of Schottky diode fabricated in non-epitaxial SiC and epitaxial SiC. A Schottky diode with a thin gate formed by 80%Pt20%Pd alloy showed some sensitivity to 200 ppm of NO gas at high temperature. This response needs further investigation. Yield study shows that SiC has the promising quality for fabrication Schottky diode. Back contact resistance for Ni and anneal at 850℃ in vacuum was reliably low. Use of the epitaxial SiC gives reasonably low series resistance. High temperature characterization shows epitaxial SiC has better performance. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Thin gate / Gas sensor / Schottky diode / Yield study / Parameter / Epitaxial wafer |
| 資料番号 | CPM2000-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2000/6/16(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CPM2000-31 Thin gate SiC Schottky diode: Study on yield and Characterization for Sensor application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Thin gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Shabbir A. Khan |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of Information and Computer Sciences, Saitama University |
| 発表年月日 | 2000/6/16 |
| 資料番号 | CPM2000-31 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 141 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |