講演名 1999/8/27
Ge:Ga 2次元検出器ハイブリッド構造の作製
藤原 幹生, 廣本 宣久, 平尾 孝憲, 芝井 広, 中川 貴雄,
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抄録(和) Ge:Ga 外囚性半導体を用いた光伝導型検出器は、波長110μmまで感度を持つ遠赤外検出器であり、天文観測や、遠赤外分光など高感度が必要な分野に用いるため研究開発が行われてきた。現在衛星搭載用観測装置のフォーカル・プレーン検出器として各国で研究が進められており、我が国においても次期赤外天文衛星(IRIS)の遠赤外サーベイヤー装置の焦点部にGe:Ga遠赤外検出器が搭載される予定である。検出器の多素子化は同空間分解で同時観測可能領域の拡大をもたらし、観測の効率化及び精度の向上に寄与する。我々は検出器の二次元化を目指し、アレイ化に適した構造である透明電極を用いたLongitudinal型Ge:Ga検出器を開発し、それを極低温動作読み出し回路にインジウムを用いて直接コンタクトをとるダイレクトハイブリッド構造の開発を行った。
抄録(英) Gallium-doped germanium (Ge:Ga) extrinsic semiconductors have been used as sensitive far-infrared detectors with a cutoff wavelength of 110μm (3 THz), especially in the fields of astronomy, the spectroscopy of molecules and solids, and plasma diagnostics. Developing Ge:Ga photoconductor arrays to take two-dimensional THz images is now an important target for such research fields as the space astronomy. We are developing Ge:Ga far-infrared photoconductor direct hybrid arrays for use as focal-plane detectors in the Far Infrared Surveyor (FIS), one of the two main instruments of the Infrared Imaging Surveyor (IRIS) satelite that will be launched in 2003. In this paper, we report on the basic idea of a 20×3 Ge:Ga far-infrared photoconductor array directly hybridized to a Si p-MOS readbut integrated circuit (IC) using indium bump technology, and give the results of vibration and cooling tests conducted to confirm the strength of the direct hybrid structure.
キーワード(和) Ge:Ga 遠赤外2次元検出器 / ダイレクトハイブリッド / 極低温読み出し回路 / インジウムバンプ
キーワード(英) Ge:Ga 2D photoconductor array / direct hybrid / cryogenic circuits / In bunp / Tera helts ray
資料番号 CPM99-65
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1999/8/27(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Ge:Ga 2次元検出器ハイブリッド構造の作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of the direct Ge:Ga 2D array
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Ge:Ga 遠赤外2次元検出器 / Ge:Ga 2D photoconductor array
キーワード(2)(和/英) ダイレクトハイブリッド / direct hybrid
キーワード(3)(和/英) 極低温読み出し回路 / cryogenic circuits
キーワード(4)(和/英) インジウムバンプ / In bunp
第 1 著者 氏名(和/英) 藤原 幹生 / Mikio Fujiwara
第 1 著者 所属(和/英) 郵政省通信総合研究所
CRL
第 2 著者 氏名(和/英) 廣本 宣久 / Norihisa Hiromoto
第 2 著者 所属(和/英) 郵政省通信総合研究所
CRL
第 3 著者 氏名(和/英) 平尾 孝憲 / Takanori Hirao
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学理学部
Nagoya univ.
第 4 著者 氏名(和/英) 芝井 広 / Hiroshi Shibai
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学理学部
Nagoya univ.
第 5 著者 氏名(和/英) 中川 貴雄 / Takao Nakagawa
第 5 著者 所属(和/英) 文部省宇宙科学研究所
ISAS
発表年月日 1999/8/27
資料番号 CPM99-65
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 276
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日