| 講演名 | 1999/8/27 集積形光アイソレータを目指したダイレクトボンディングにおけるウェハ処理法 横井 秀樹, 水本 哲弥, 清水 雅史, 鰐石 卓志, 二口 尚樹, 甲斐田 憲明, 中野 義昭, |
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| 抄録(和) | ニ枚の基板を接着剤を用いずに貼り合わせるダイレクトボンデイング技術を用いることにより、半導体を導波層とする集積形光アイソレータが製作可能となる。非相反移相効果を用いた光アイソレータを実現するために、GalnAsPとガーネット結晶のダイレクトボンディングについて研究を進めている。再現性良くダイレクトボンディングを実現するためのウェハ処理法について、接触角法により検討した結果について報告する。 |
| 抄録(英) | An integrated optical isolator with a semiconductor guiding layer can be constructed by wafer direct bonding technique, by which two wafers are contacted without any adhesives. The direct bonding between GalnAsP and garnet crystals has been investigated to realize the integrated optical isolator employing a nonreciprocal phase shift. Experimental results of contact angle measurement of wafer surfaces with various treatments for the direct bonding are described. |
| キーワード(和) | 光アイソレータ / ダイレクトボンディング / 半導体 / ガーネット / 接触角法 |
| キーワード(英) | Optical isolator / direct bonding / semiconductor / garnet / contact angle measurement |
| 資料番号 | CPM99-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/8/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 集積形光アイソレータを目指したダイレクトボンディングにおけるウェハ処理法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface pretreatment in wafer direct bonding for integrated optical isolator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光アイソレータ / Optical isolator |
| キーワード(2)（和/英） | ダイレクトボンディング / direct bonding |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体 / semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | ガーネット / garnet |
| キーワード(5)（和/英） | 接触角法 / contact angle measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横井 秀樹 / Hideki YOKOI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Faculty of Engineering, Tokyo lnstitute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水本 哲弥 / Tetsuya MIZUMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Faculty of Engineering, Tokyo lnstitute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 雅史 / Masafumi SHIMIZU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Faculty of Engineering, Tokyo lnstitute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鰐石 卓志 / Takashi WANIISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of Physical Electronics, Faculty of Engineering, Tokyo lnstitute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 二口 尚樹 / Naoki FUTAKUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Electronic Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 甲斐田 憲明 / Noriaki KAIDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Electronic Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中野 義昭 / Yoshiaki NAKANO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Electronic Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1999/8/27 |
| 資料番号 | CPM99-64 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |