| 講演名 | 1999/8/6 超高真空中接触角測定法によるGaAs基板表面の『その場』観察 松下 浩一, 門原 拓也, 中山 健, 佐藤 哲夫, 長沼 博, 奥山 澄雄, 奥山 克郎, |
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| 抄録(和) | 真空中、水素中のGaAs基板の表面状態を明らかにするため、GaAs基板 (20℃～550℃) 上に接したGa液滴の接触角を測定した。その結果、酸化膜を成長させたGaAs上のGa液滴の接触角は基板温度によらず真空中では140°の値を示すこと、酸化膜を除去したGaAsでは基板温度の上昇につれて真空中では140°から110°に、水素中では130°から100°に接触角が低下することが明らかとなった。この結果と、処理をしたGaAsに成長したGeの電気的特性から、GaAs基板の前処理としてはセミコクリーンや低溶存酸素純水処理が、雰囲気としては水素中が、低温エビタキシャル成長には望ましいことが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | Contact angle of Ga droplet on GaAs surface in ultra-high vacuum (UHV) or in hydrogen is measured to study surface condition of GaAs substrate. The results showed that the contact angle of Ga on oxidized GaAs surface was 140 degree constant in UHV, those on cleaned GaAs decreased from 140 to 120 degree in UHV and from 130 to 90 degree in hydrogen, as the substrate temperature increased. It is better to use the GaAs substrate treated with semicoclean or low dissolved oxygen-pure water and to grow in hydrogen for low temperature epitaxial growth of Ge. |
| キーワード(和) | GaAs / Ga液滴 / 接触角 / ぬれ / オージェ電子分光分析 / 表面張力 |
| キーワード(英) | GaAs / Ga droplet / contact angle / wettability / AES / surface tension |
| 資料番号 | CPM99-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/8/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高真空中接触角測定法によるGaAs基板表面の『その場』観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-Situ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | Ga液滴 / Ga droplet |
| キーワード(3)（和/英） | 接触角 / contact angle |
| キーワード(4)（和/英） | ぬれ / wettability |
| キーワード(5)（和/英） | オージェ電子分光分析 / AES |
| キーワード(6)（和/英） | 表面張力 / surface tension |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松下 浩一 / Koichi Matsushita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山形大学 工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 門原 拓也 / Takuya Monbara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山形大学 工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中山 健 / Ken Nakayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山形大学 工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 哲夫 / Tetsuo Satou |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山形大学 工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 長沼 博 / Hiroshi Naganuma |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 山形大学 工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 奥山 澄雄 / Sumio Okuyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 山形大学 工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 奥山 克郎 / Katsuro Okuyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 山形大学 工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 発表年月日 | 1999/8/6 |
| 資料番号 | CPM99-50 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 257 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |