| 講演名 | 1999/5/21 Si基板上GaNの暗点密度観察 中路 雅晴, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | MOCVD法により、シリコン(111)基板上にGaNの成長を行った。AlN/AlGaN中間層を用いることにより、その格子定数差や熱膨張整数差にかかわらずクラックのない、鏡面の良好な結晶が得られた。また、4.2KにおいてPL測定を行なったところピーク値の半値幅はnon-dopedのもので8.8meV、Siをドープしたもので10.1meVとシリコン基板上GaNとしては最も狭い値であり、光学的に高品質であった。また、EBICによる暗転密度観察を行うためにショットキーダイオードの作製を行った。オーミック電極にはTi/Al (250/1500Å)、ショットキー電極にはPt/Ti/Au (100/400/1000Å)を用いた。Ti/Al電極はRTA処理を行ったことで良好なオーミックを示した。作製されたショットキーダイオードはn値が1.31、障壁高さが1.18eV、イオン化ドナー密度が6～7×10^<17>cm^<-3>であった。次にEBICによる暗転密度観察及び溶融KOH法によるエッチピット観察を行った。EBICによる暗転密度は表面より0.2μmの深さで6×10^9cm^<-2>、0.6μmの深さで5×10^9cm^<-2>であった。エッチピット密度は7×1O^9cm^<-2>であった。これらの値はサファイア基板上のものと比較すると30倍程度大きな値であるが、信頼性のある発光デバイスの作製が可能であると思われる。 |
| 抄録(英) | GaN thin films were grown by MOCVD on Si (111) substrates. In spite of lattice mismatches and thermal mismatches, no crack was observed, using the buffer layer of AlN/AlGaN. High quelity crystal with mirror polished surfaced were obtained. Full width at half maximum of the PL signal measured at 4.2K is 8.8meV for non-doped and 10.1meV for Si doped sample, which are narrower than that of the best GaN/Si. To observe the dark spot density be EBIC, Schottky diode was Prepared using Ti/Al (250/1500Å) and Pt/Ti/Au (100/400/1000Å) as ohmic and Schottky contact respectively. Good ohmic contact was obtained after performing RTA. Ideality factors, barrier height and ionized donor concentration ware observed to be 1.31, 1.18eV and 6~7x10^<17>cm^<-3>, respectively. DSD was observed by EBIC and etch pit density was observed using molten KOH. DSD was found to be 6x10^<-9>cm^<-2> and 5x10^<-9>cm^<-2> at depth 0.2μm and 0.6μm, respectively. Etch pit density was 7x10^<-9>cm^<-2>. However those values are 30 times larger than those of GaN on sapphire, reliable GaN-based-light emitting devices are believed to be fabricated on Si substrates. |
| キーワード(和) | GaN / Si (111) / 中間層 / ショットキーダイオード / 暗点密度 / エッチピツト |
| キーワード(英) | GaN / Si (111) / intermediate layer / Schottky diode / DSD / etch pits |
| 資料番号 | CPM99-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上GaNの暗点密度観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of dark spots of GaN on Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Si (111) / Si (111) |
| キーワード(3)（和/英） | 中間層 / intermediate layer |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(5)（和/英） | 暗点密度 / DSD |
| キーワード(6)（和/英） | エッチピツト / etch pits |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中路 雅晴 / M. NAKAJI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / H. ISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / T. EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / T. JIMBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Technology and Urban Planning, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / M. UMENO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科:極微構造デバイス研究センター Department of Electrical and Computer Engineering:Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/5/21 |
| 資料番号 | CPM99-14 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 66 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |