| 講演名 | 1999/5/20 レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製 廣江 吉倫, 若原 昭浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | レーザーアブレーション法により、AlドープのZnO透明導電膜を作製した。その結果、基板温度200[℃]以上においてc軸配向のZnO多結晶薄膜が得られた。また、表面モルフォロジーと薄膜の配向性に相関が見られた。基板温度室温で作製したZnO薄膜においても抵抗率8×10^<-4> [Ωcm]のものが得られ、基板温度300[℃]において1.3×10^<-4> [Ωcm]のものが得られた。基板温度の上昇、レーザーパワーの減少に伴い透過率が高くなった。 |
| 抄録(英) | Aluminum doped Zinc Oxide thin film was prepared by laser ablation. We obtained c-axis-oriented polycrystalline Zinc Oxide thin films deposited above 200[℃]. Correlation was seen between surface morphology and orientation. The resistivity of 8×10^<-4> [Ωcm] was obtained for a film deposited at room temperature, and the resistivity of the film deposited at 300[℃] was down to 1.3/10^<-4> [Ωcm]. The transmittance of Zinc Oxide thin film was increased with increasing substrate temperature and decreasing laser power. |
| キーワード(和) | ZnO透明導電膜 / レーザーアブレーション |
| キーワード(英) | Transparent conducting ZnO / Laser ablation |
| 資料番号 | CPM99-13 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ZnO thin film prepared by laser ablation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO透明導電膜 / Transparent conducting ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーアブレーション / Laser ablation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 廣江 吉倫 / Yoshihito Hiroe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | CPM99-13 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |