| 講演名 | 1999/5/20 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成における組成制御 村松 隆広, 徐 應楡, 青木 徹, 畑中 義式, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラン(((CH_3) _3Si)_2、HMDS)からプラズマCVD法によりSiC薄膜を堆積した。カソードポテンシャルはRFパワーの増加とともに大きくなるとがわかった。 しかし、水素だけを流した場合プラスイオンがカソード側に流れるためカソードポテンシャルの増加を妨げることがわかった。HMDSにシランを加えることで吸収端をさらに長波長側にシフトすることができたが、薄膜が黄色に変色してしまうことがわかった。したがってさらなる検討が必要である。 |
| 抄録(英) | SiC thin films were deposited by plasma CVD method using hexamethyledisilane. It was found that when hydrogen was used for plasma gas, the cathode potential reduces because of flow of H+ ions toward the cathode. Cut off wave length of the deposited films sift toward higher wave length while increasing the amount of silane in HMDS. As a result, the film becomes yellowish, and the reason for this is under current study. |
| キーワード(和) | プラズマCVD / ヘキサメチルジシラン / シラン / カソードポテンシャル / SiC膜 |
| キーワード(英) | Plasma CVD / Hexamethyldisilane / Silane / Cathode potential / SiC film |
| 資料番号 | CPM99-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成における組成制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Composition control of SiC thin films deposition using HMDS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマCVD / Plasma CVD |
| キーワード(2)（和/英） | ヘキサメチルジシラン / Hexamethyldisilane |
| キーワード(3)（和/英） | シラン / Silane |
| キーワード(4)（和/英） | カソードポテンシャル / Cathode potential |
| キーワード(5)（和/英） | SiC膜 / SiC film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村松 隆広 / T. Muramatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徐 應楡 / Y. Xu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T. Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y. Hatanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所:電子科学研究科 Research Institute of Electronics:Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | CPM99-11 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |