講演名 1999/5/20
「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
正戸 宏幸, 池田 義人, 松野 年伸, 西井 勝則, 井上 薫, 上田 大助,
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抄録(和) 熱伝導特性に優れる半絶縁性SiC基板上に成長したAlGaN/GaNヘテロ接合構造エピ基板を用いて、0.3μmゲートFETを作製した。試作したFETは、最大ドレイン電流(Imax) 740mA/mm、最大相互コンダクタンス(gmmax) 150mS/mm、耐圧(BVgd) 50V以上の特性を示した。また、周波数分散も観測されなかった。ゲート幅100μmのFETでf_T=22.2GHz、fmax=85.3GHzの特性を得、また1.9GHzでのパワー特性評価で100mW (1W/mm)以上の出力を得た。これらの結果より、SiC基板上に成長したAlGaN/GaN HFETが、マイクロ波・ミリ波帯のパワーデバイスに極めて有望であるといえる。
抄録(英) We have fabricated 0.3μm-gate FETs by using AlGaN/GaN hetero-structure grown on semi-insulating SiC Substrate. The device showed the maximum drain current of 740mA/mm, the peak transconductance of 150mS/mm and the high breakdown voltage of over 50V. Frequency dispersion was not observed at all. The cut-off frequency f_T of 22.2GHz and the maximum oscillation frequency fmax of 85.3GHz and the output power of 1W/mm at 1.9GHz were obtained for 100μm-gatewidth FET. These results indicate that, AlGaN/GaN HFET grown on SiC substrate is quite suitable for microwave or millimeter wave band power applications.
キーワード(和) AlGaN/GaN HFET / SiC基板 / 高出力FET / 周波数分散 / マイクロ波
キーワード(英) AlGaN/GaN HFET / SiC Substrate / Power FET / Frequency Dispersion / Microwave
資料番号 CPM99-10
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1999/5/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
サブタイトル(和)
タイトル(英) 「Invited Paper」 High Frequency Wide-Bandgap Semiconductor Devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN HFET
キーワード(2)(和/英) SiC基板 / SiC Substrate
キーワード(3)(和/英) 高出力FET / Power FET
キーワード(4)(和/英) 周波数分散 / Frequency Dispersion
キーワード(5)(和/英) マイクロ波 / Microwave
第 1 著者 氏名(和/英) 正戸 宏幸 / H. Masato
第 1 著者 所属(和/英) 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部
Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 池田 義人 / Y. Ikeda
第 2 著者 所属(和/英) 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部
Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 松野 年伸 / T. Matsuno
第 3 著者 所属(和/英) 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部
Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 西井 勝則 / K. Nishii
第 4 著者 所属(和/英) 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部
Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 井上 薫 / K. Inoue
第 5 著者 所属(和/英) 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部
Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 上田 大助 / D. Ueda
第 6 著者 所属(和/英) 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部
Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation
発表年月日 1999/5/20
資料番号 CPM99-10
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 65
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日