| 講演名 | 1999/5/20 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス 正戸 宏幸, 池田 義人, 松野 年伸, 西井 勝則, 井上 薫, 上田 大助, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 熱伝導特性に優れる半絶縁性SiC基板上に成長したAlGaN/GaNヘテロ接合構造エピ基板を用いて、0.3μmゲートFETを作製した。試作したFETは、最大ドレイン電流(Imax) 740mA/mm、最大相互コンダクタンス(gmmax) 150mS/mm、耐圧(BVgd) 50V以上の特性を示した。また、周波数分散も観測されなかった。ゲート幅100μmのFETでf_T=22.2GHz、fmax=85.3GHzの特性を得、また1.9GHzでのパワー特性評価で100mW (1W/mm)以上の出力を得た。これらの結果より、SiC基板上に成長したAlGaN/GaN HFETが、マイクロ波・ミリ波帯のパワーデバイスに極めて有望であるといえる。 |
| 抄録(英) | We have fabricated 0.3μm-gate FETs by using AlGaN/GaN hetero-structure grown on semi-insulating SiC Substrate. The device showed the maximum drain current of 740mA/mm, the peak transconductance of 150mS/mm and the high breakdown voltage of over 50V. Frequency dispersion was not observed at all. The cut-off frequency f_T of 22.2GHz and the maximum oscillation frequency fmax of 85.3GHz and the output power of 1W/mm at 1.9GHz were obtained for 100μm-gatewidth FET. These results indicate that, AlGaN/GaN HFET grown on SiC substrate is quite suitable for microwave or millimeter wave band power applications. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HFET / SiC基板 / 高出力FET / 周波数分散 / マイクロ波 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HFET / SiC Substrate / Power FET / Frequency Dispersion / Microwave |
| 資料番号 | CPM99-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 「Invited Paper」 High Frequency Wide-Bandgap Semiconductor Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN HFET |
| キーワード(2)（和/英） | SiC基板 / SiC Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力FET / Power FET |
| キーワード(4)（和/英） | 周波数分散 / Frequency Dispersion |
| キーワード(5)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 正戸 宏幸 / H. Masato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部 Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 義人 / Y. Ikeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部 Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松野 年伸 / T. Matsuno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部 Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西井 勝則 / K. Nishii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部 Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 薫 / K. Inoue |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部 Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / D. Ueda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター 化合物デバイス研究部 Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | CPM99-10 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |