| 講演名 | 1999/5/20 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長 太子 敏則, 深海 龍夫, 黄 新明, 干川 圭吾, 久保田 政芳, 梶ケ谷 富男, |
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| 抄録(和) | 本研究では、高濃度ボロン添加シリコン結晶育成におけるボロンの偏析係数と単結晶育成のための限界濃度、高濃度添加することによって生じる多結晶化の原因について調査するため、融液中のボロンの初期濃度が10^<18>~10^<21>atoms/cm^3の範囲で結晶育成を行った。偏析係数は融液中のボロン濃度の増加に伴って0.8から減少し、特に10^<20>atoms/cm^3以上で顕著に変化し約0.3まで減少することが明らかになった。単結晶育成のための限界濃度は、結晶中で3×10^<20>atoms/cm^3程度であることがわかった。また、高濃度ボロン添加における多結晶化の原因は、組成的過冷却の発生によるものであることを確認した。 |
| 抄録(英) | Boron segregation, concentration limit of boron for dislocation-free single crystal growth and reason for polycrystallization with heavily boron-doped silicon crystal growth were investigated. Silicon crystals were grown from heavily boron-doped silicon melt with initial boron concentrations ranging from 10^<18> to 10^<21> atoms/cm^3 by the CZ method. The effective and equilibrium segregation coefficient considerably decreased from 0.8 with increasing the boron concentration in the silicon melt. It was found that concentration limit of boron for dislocation-free single crystal growth was about 3×10^<20> atoms/cm^3. The reason for the polycrystallization in the heavily boron-doped silicon crystal growth is possibly the constitutional supercooling. |
| キーワード(和) | CZシリコン結晶育成 / 高濃度ボロン添加 / 偏析係数 / ボロン濃度 / 多結晶化 / 組成的過冷却 |
| キーワード(英) | CZ silicon crystal growth / heavy boron doping / segregation coefficient / boron concentration / polycrystallization / constitutional supercooling |
| 資料番号 | CPM99-9 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heavily Boron-Doped Silicon Crystal Growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CZシリコン結晶育成 / CZ silicon crystal growth |
| キーワード(2)（和/英） | 高濃度ボロン添加 / heavy boron doping |
| キーワード(3)（和/英） | 偏析係数 / segregation coefficient |
| キーワード(4)（和/英） | ボロン濃度 / boron concentration |
| キーワード(5)（和/英） | 多結晶化 / polycrystallization |
| キーワード(6)（和/英） | 組成的過冷却 / constitutional supercooling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太子 敏則 / T. Taishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深海 龍夫 / T. Fukami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黄 新明 / X. Huang |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学教育学部 Faculty of Education, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 干川 圭吾 / Keigo Hoshikawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学教育学部 Faculty of Education, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久保田 政芳 / M. Kubota |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友金属鉱山(株) Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 梶ケ谷 富男 / T. Kajigaya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友金属鉱山(株) Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | CPM99-9 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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