| 講演名 | 1999/5/20 ECRプラズマCVDによるSiのSiO_2ストライプパターンへの埋込み成長 吉田 行男, 高橋 幸大, 佐々木 公洋, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ECRプラズマCVD法を用いて、Si基板上にSiO_2がストライプ状にパターニングされた基板上への選択成長を行った。この選択成長過程には、成膜時に起こる水素ラジカルによるエッチング作用が重要な役割を果している。水素流量200sccm、基板温度225℃という条件の元で選択エピタキシャル成長できることがわかった。しかし、基板温度が低温であるためSi膜の結晶性は良好なものが得られない。そこで、基板と膜の界面の結晶性を向上させるために、これまでに求めているエピタキシャル成長条件でパターニング基板への成膜を行い、途中から選択成長条件に切り替え、Si基板上にのみSi膜を堆積させる選択成長法を考えた。この方法を我々はEtch Back選択成長と呼ぶ。その結果、この方法で基板温度300℃までは、Etch Back選択成長が可能であることがわかった。 |
| 抄録(英) | Si thin films were grown selectivilt to SiO_2 stripe patterned substrate using ECR Plasma CVD. In this process etching effect by hydrogen radicals during depositing film plays a key role. We found the possibility of selective growth at H_2 flow rate of 200sccm at 225℃. But good crystallinity was not obtained because of lowness of substrate temperature. To improve the crystalline quality of the boundary between Si substrate and Si thin films. After we performed high temperature epitaxial growth of Si thin films, we tried to performed selective growth on SiO_2 pattened substrate. This method is called etch back selective growth. We found it possible to perform the etch back selective growth up to 300℃. |
| キーワード(和) | ECRプラズマCVD / 選択成長 / エッチング / Etch Back選択成長 |
| キーワード(英) | ECR plasma CVD / selective growth / etching / etch back selective growth |
| 資料番号 | CPM99-8 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECRプラズマCVDによるSiのSiO_2ストライプパターンへの埋込み成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Buried growth of Si on SiO_2 stripe patterned substrate by ECR plasma CVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ECRプラズマCVD / ECR plasma CVD |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / selective growth |
| キーワード(3)（和/英） | エッチング / etching |
| キーワード(4)（和/英） | Etch Back選択成長 / etch back selective growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 行男 / Yukio Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学 工学部 Kanazawa University, Factory of Engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 幸大 / Yukihiro Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学 工学部 Kanazawa University, Factory of Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / Kimihiro Sasaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学 工学部 Kanazawa University, Factory of Engineering |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | CPM99-8 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |