| 講演名 | 1999/5/20 GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発 草刈 ゆり, 森川 正敏, 藤岡 徹, 勝枝 嶺雄, 松永 良国, 神代 岩道, 小野沢 和徳, 佐藤 孝弘, 吉田 功, |
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| 抄録(和) | 欧州デジタル携帯電話の規格であるGSM (900MHz帯)用セルラ電話の送信用電力増幅器に使用される電源電圧3.6 V, 高効率Si-RFパワーMOSFETを開発した。素子の高効率化のために, CMOSLSIプロセスを使用してゲート長0.4 5μmの微細化を行なった。その結果, オン抵抗6.9Ω・mm, ドレイン耐圧13V, 遮断周波数11GHzが得られ, 高周波特性は, 出力電力1.8Wで, 電力利得10dB, 付加効率60%であった。また本素子をRFパワーモジュールに搭載し評価した結果, 出力電力4.0Wで, 総合効率50%を達成した。 |
| 抄録(英) | A high efficiency silicon RF-power MOSFET has been developed for use in power amplifiers of 900-MHz band GSM handset phones with 3. 6V supply voltage. To increase power efficiency, we used a CMOS LSI process technology with 0.45-μm gate length. Features of this MOSFET include a 6.9-Ωmm on-state resistance, 13-V drain breakdown voltage and 11-GHz cut-off freqency. As a result, we attained RF characteristics of 1.8 W-output power, 10-dB power gain, and 60% power-added efficiency. A RF power amplifier module using this MOSFET chip achieves 4.0-W output power and 50-% total efficiency. |
| キーワード(和) | GSM / RFパワーモジュール / パワーMOSFET / 微細化,電力付加効率 |
| キーワード(英) | GSM / RF power module / power MOSFET / Scale down / power efficiency |
| 資料番号 | CPM99-7 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of High Efficiency Silicon RF - Power MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GSM / GSM |
| キーワード(2)（和/英） | RFパワーモジュール / RF power module |
| キーワード(3)（和/英） | パワーMOSFET / power MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 微細化,電力付加効率 / Scale down |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 草刈 ゆり / Y. Kusakari |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立超LSIシステムズ Hitachi ULSI systems Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森川 正敏 / Masatoshi M |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤岡 徹 / T. Fujioka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 勝枝 嶺雄 / K. Katsueda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松永 良国 / Y. Matsunaga |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 神代 岩道 / I. Kohjiro |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小野沢 和徳 / K. Onozawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 佐藤 孝弘 / T. Sato |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日立東部セミコンダクタ(株) Hitachi Tohbu Semiconductor, Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 吉田 功 / I. Yoshida |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | CPM99-7 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |