| 講演名 | 1999/5/20 薄層SOIパワーMOSFET 松本 聡, 平岡 靖史, 谷内 利明, |
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| 抄録(和) | 薄層SOIパワーMOSFETは低寄生容量のため高周波応用のパワーデバイスとしての期待が高い。本報告では、薄層SOIパワーMOSFETのスイッチング素子ならびにR F パワー素子としての特徴について述べる。また、薄層SOIパワーMOSFETの問題点とその解決方法についても述べる。 |
| 抄録(英) | A thin-film SOI power MOSFET has been attractive for high-frequency applications because its parasitic capacitance is much lower than that fabricated on the conventional bulk Si substrate. This paper describes the device characteristics of the thin-film SOI power MOSFET for high-frequency switching and radio frequency applications. This.paper also describe the problems of the thin-film SOI power MOSFET and countermeasures for their problems. |
| キーワード(和) | SOI / Quasi-SOI / スイッチング素子 / RFパワーMOSFET |
| キーワード(英) | SOI / Quasi-SOI / Switching devices / Radio frequency power MOSFET |
| 資料番号 | CPM99-6 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄層SOIパワーMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin-film SOI Power MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | Quasi-SOI / Quasi-SOI |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチング素子 / Switching devices |
| キーワード(4)（和/英） | RFパワーMOSFET / Radio frequency power MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 聡 / Satoshi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平岡 靖史 / Yasushi Hiraoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷内 利明 / Toshiaki Yachi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | CPM99-6 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |