講演名 1999/5/20
発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
大曽根 隆志, 勇崎 正恵, 松田 敏弘, 亀田 悦正,
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抄録(和) 拡大倍率を500倍に改良した発光顕微鏡と酸化膜欠陥位置を正確に決定するために周期的なX-Yマトリクス状に配置したMOS容量パターンを有するテスト構造を組み合わせて、酸化膜欠陥位置に対応する最大発光位置を0.1ミクロン以下の位置分解能で決定した。酸化膜欠陥からの発光点があるフィールド酸化膜の島状領域はランダムに分布し、顕微鏡の反射光像の凹部に対応するLOCOS 分離端はゲート酸化膜端から約+0.3ミクロンに位置する。酸化膜欠陥はこのLOCOS分離端から+0.4~-0.1ミクロンの範囲に存在する。
抄録(英) The maximum photoemission position corresponding to the oxide defect was determined in a spatial resolution less than 0.1μm by a combination of an improved photoemission microscope with a magnification of 500x and a test structure of MOS capacitors which had a periodic X-Y matrix pattern to define the precise oxide-defect location. The field-oxide islands, which had photoemission spots from the oxide defects, distributed at random. The LOCOS edge corresponding to the intensity dent of the reflected light image was located at about +0.3μm from the gate-oxide edge. The oxide-defects were located in +0.4~-0.1μm from the LOCOS edge.
キーワード(和) MOS容量 / MOSFET / LOCOS分離 / 酸化膜欠陥 / 酸化膜の信頼性 / 発光顕微鏡
キーワード(英) MOS capacitor / MOSFET LOCOS isolation / oxide defect / oxide reliability photoemission microscope
資料番号 CPM99-5
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1999/5/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 発光顕微鏡による0.1ミクロン以下の分解能でのMOS酸化膜欠陥位置の決定
サブタイトル(和)
タイトル(英) Identification of MOS Oxide Defect Location With A Spatial Resolution Less Than 0.1μm Using Photoemission Microscope
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOS容量 / MOS capacitor
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET LOCOS isolation
キーワード(3)(和/英) LOCOS分離 / oxide defect
キーワード(4)(和/英) 酸化膜欠陥 / oxide reliability photoemission microscope
キーワード(5)(和/英) 酸化膜の信頼性
キーワード(6)(和/英) 発光顕微鏡
第 1 著者 氏名(和/英) 大曽根 隆志 / Takashi Ohzone
第 1 著者 所属(和/英) 富山県立大学 工学部 電子情報工学科
Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University
第 2 著者 氏名(和/英) 勇崎 正恵 / Masae Yuzaki
第 2 著者 所属(和/英) 富山県立大学 工学部 電子情報工学科
Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University
第 3 著者 氏名(和/英) 松田 敏弘 / Toshihiro Matsuda
第 3 著者 所属(和/英) 富山県工業技術センター 機械電子研究所
Machinery and Electronics Laboratory, Toyama Industrial Technology Center
第 4 著者 氏名(和/英) 亀田 悦正 / Etsumasa Kameda
第 4 著者 所属(和/英) 富山工業高等専門学校 電気工学科
Department of Electrical Engineering, Toyama National College of Technology
発表年月日 1999/5/20
資料番号 CPM99-5
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 65
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日