講演名 1999/5/20
拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
市村 正也, 大橋 智仁, 荒井 英輔,
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抄録(和) p型絶縁体上シリコン(SOI)構造において、埋め込み酸化膜中の電荷が、拡がり抵抗(SR)測定に及ぼす影響を議論した。まず理論計算によって、酸化膜中に電荷がある場合に予想されるSRキャリア分布をもとめた。次にキャリア濃度が異なる複数の試料について測定を行った。SRキャリア分布は、酸化膜近傍でいったん急激に減少し、最小値をとり、再び緩やかに増加する。表面準位を考慮した理論計算によってその実測値の主要な特微が再現できた。これらの結果により、SOI構造の界面近傍のSR測定においては、埋め込み酸化膜中電荷と表面準位を考慮した解析が不可欠であることが示された。
抄録(英) The spreading resistance (SR) measurement is applied to p-type bonded silicon-on-insulator (SOI) wafers, and effects of fixed charge in the buried oxide on the SR carrier profiles are theoretically investigated. The measured carrier concentration decreases rapidly near the interface, goes through a minimum, and then increases gradually with decreasing distance to the interface. The position of the minimum depends on impurity concentration in the body of the SOI layer. These features are reproduced by the calculation considering the fixed charge in the oxide and the surface states.
キーワード(和) SOI / 拡がり抵抗測定 / 埋め込み酸化膜 / 表面準位
キーワード(英) SOI / spreading resistance measurement / buried oxide / surface state
資料番号 CPM99-3
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1999/5/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
サブタイトル(和)
タイトル(英) Carrier profiles in bonded SOI wafers obtained by the spreading-resistance measurerment
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SOI / SOI
キーワード(2)(和/英) 拡がり抵抗測定 / spreading resistance measurement
キーワード(3)(和/英) 埋め込み酸化膜 / buried oxide
キーワード(4)(和/英) 表面準位 / surface state
第 1 著者 氏名(和/英) 市村 正也 / M. ICHIMURA
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 共同研究センター
Center for Cooperative Research, Nagoya Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 大橋 智仁 / T. OHASHI
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 電気情報工学科
DepartInent of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 荒井 英輔 / E. ARAI
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 電気情報工学科
DepartInent of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology
発表年月日 1999/5/20
資料番号 CPM99-3
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 65
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日