講演名 1999/3/5
Bi置換YIG薄膜を用いた1次元磁性フォトニック結晶の局在モードの磁気光学性能指数
井上 光輝, 荒井 賢一, 阿部 正紀, 藤井 壽崇, Fan Sanfui, Joannopoulos John D.,
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抄録(和) ビスマス置換YIG(Bi:YIG)薄膜を用いた1次元磁性フォトニツク結晶(ID一MPC)の局在モードの磁気光学性能指数を、マトリックスアプローチ法による理論解析により調べた。その結果、(S1O_2/SiN)^k/Y31:YIG/(SiN/S1O_2)^kの構造をもつ1D-MPCについて、Q_F=|θ_F|T^<1/2>/d_M(θ_F:ファラデー回転角, T:透過率, d_M:Bi:YIG厚)で定義した透過光の性能指数、並びに久-10KIR1″(Q_K:力一回転角, R:反射率)で定義した反射光の性能指数とも極めて大きな値に達することを見出した。例えばk=10の場合で、第1局在モードの性能指数はQF≈37(deg/mm)、QK≈4.5(deg)に達する。
抄録(英) Magneto-optical figure-of-merit parameters, which are defined by Q_F=|θ_F|T^<1/2>/d_M(θ_F:Faraday rotation, Thansmissivity, and d_M:Bi:YIG layer thickness) and Q_k=|θ_k|R^<1/2>(θ_k: Ken rotation and R:reflectivity), of localized modes in 10 magneto-photonic crystals (1D-MPCs) with Bi-substituted YIG (Bi:YIG) filmswere analyzed theoretically. The results show that the localized modes in 1 D-MPC with (SiO_2/SiN)^k/Bi:YIG/(SiN/Si0_2)^k structure exhibit considerably large values of both Q_F and Q_k: for instance, the first localized mode in the 1D-MPC with k=10 shows Q_F≈37(deg/mm) and Q_k≈4.5(deg), whose values are very attractive for various MO applications.
キーワード(和) フォトニック結晶 / 磁気光学効果 / 磁性フォトニック結晶
キーワード(英) photonic crystal / magneto-optical effect / magneto-photonic crystal
資料番号 CPM98-190
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1999/3/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Bi置換YIG薄膜を用いた1次元磁性フォトニック結晶の局在モードの磁気光学性能指数
サブタイトル(和)
タイトル(英) Figure-of-Merit Parameters of Localized Modes in One-Dimensional Magneto-Photonic Crystals with Bi-substituted YIG Films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フォトニック結晶 / photonic crystal
キーワード(2)(和/英) 磁気光学効果 / magneto-optical effect
キーワード(3)(和/英) 磁性フォトニック結晶 / magneto-photonic crystal
第 1 著者 氏名(和/英) 井上 光輝 / M. Inoue
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学 電気通信研究所:"形とはたらき"さきがけ研究21 科学技術振興事業団
RIEC, Tohoku University:"Form & Function", PRESTO, JST
第 2 著者 氏名(和/英) 荒井 賢一 / K.I. Arai
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学 電気通信研究所
RIEC, Tohoku University
第 3 著者 氏名(和/英) 阿部 正紀 / M Abe
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学 電子物理工学科
Dept.of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 藤井 壽崇 / T. Fujii
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学電気電子工学系
Dept.of E & E Eng., Toyohashi University of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) Fan Sanfui / S. Fan
第 5 著者 所属(和/英) マサチューセッツ工科大学物理学科
Physics Dept., MIT
第 6 著者 氏名(和/英) Joannopoulos John D. / J.D. Joannopoulos
第 6 著者 所属(和/英) マサチューセッツ工科大学物理学科
Physics Dept., MIT
発表年月日 1999/3/5
資料番号 CPM98-190
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 633
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日