| 講演名 | 1998/11/6 GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討 中村 真嗣, 石田 昌弘, / 折田 賢児, 今藤 修, 油利 正昭, 杉野 隆, 伊藤 国雄, |
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| 抄録(和) | GaN系内部ストライプ型レーザの作製において、再成長層の結晶品質と組成の均一性を向上させる事は重要である。本編では、再成長層の結晶品質と組成の均一性を低下させる要因を知る為に、MOCVDによるAlGaN/GaN溝型構造へGaN層の再成長の特徴について調べた。その結果、GaN系ウルツ鉱の再成長では、優性な成長面である(1-101)面の影響により、再成長層の成長面は、<11-20>方向のストライプに対しては滑らかであるが、<1-100>方向に対しては激しく乱れる事が分かった。また、溝型構造上の再成長過程を説明する為に、傾斜面上における(0001)微細ステップの概念を提案し、このステップの振舞いとマイグレーション機構との関連について考察した。 |
| 抄録(英) | Crystalline quality and compositional uniformity of regrown layers are the critical issues for inner-stripe lasers. In order to study the factors that degrade the crystalline quality and the compositional uniformity, we have investigated regrowth properties of GaN on grooved AlGaN/GaN. It is found that(1-101)facet results in a smooth regrowth front on<11-20>stripe, and significantly disturbed one on<1-100>stripe. Existence of(0001)atomic steps on the side-wall is newly proposed to explain the regrowth mechanism. Relationship between the behavior of the steps and of group III atoms is also discussed. |
| キーワード(和) | GaN / 内部ストライプ / 再成長 |
| キーワード(英) | GaN / inner-stripe / regrowth |
| 資料番号 | ED98-147,CPM98-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | STUDY ON OVERGROWTH OF GaN FOR III-V NITRIDE INNER STRIPE LASERS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 内部ストライプ / inner-stripe |
| キーワード(3)（和/英） | 再成長 / regrowth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 真嗣 / S. Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Electronics Research Lab., Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石田 昌弘 / M. Ishida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Electronics Research Lab., Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 折田 賢児 / T. Hashimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | / 松下電子工業(株)電子総合研究所 / Electronics Research Lab., Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今藤 修 / M. Orita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Electronics Research Lab., Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 油利 正昭 / O. Imafuji |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Electronics Research Lab., Matsushita Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 杉野 隆 / M. Yuri |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Osaka Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊藤 国雄 / T. Sugino |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Electronics Research Lab., Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-147,CPM98-150 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |