| 講演名 | 1998/11/6 p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極 鈴木 正明, 川上 俊之, 荒井 知之, 小林 節子, 小出 康夫, 村上 正紀, 上村 俊也, 柴田 直樹, |
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| 抄録(和) | p型GaNに一般的に使われているNi/Au電極のコンタクト抵抗値(ρ_c)はρ_c～10^<-2>Ω-cm^2である。レーザーダイオード用に、それよりも抵抗値の低いオーム性電極を開発するための努力が為されているが、現在のところ、その解決策は見つかっていない。今回、p型GaN(正孔濃度:7×10^<17>cm^<-3>)に対してTa/Tiを電極として用いることにより、コンタクト抵抗値ρ_c=3×10^<-5>Ω-cm^2を達成した。この電極材は青色レーザーダイオード(LD)の工業化に対して十分低い抵抗値であるが、解決しなければならない問題点は、室温保存中におけるコンタクト抵抗値の劣化である。 |
| 抄録(英) | Although extensive efforts have continued to develop Ohmic contacts for p-type GaN which have the specific contact resistance(ρ_c)lower than that(ρ_c～10^<-2>Ω-cm^2)of the conventional Ni/Au contacts, no breakthrough has been reported in open interatures. We demonstrated that bilayered Ta/Ti contacts have the ρ_c value of around 3 x 10^<-5>Ω-cm^2 for p-type GaN with hole concentration of 7 x 10^<17> cm^<-3>. This contact has the resiatance low enough to manufacture the blue laser diodes, but deterioration of the ρ_c value during room temperature storage is the key issue. |
| キーワード(和) | p型GaN / オーム性電極 / Ta/Ti電極 / コンタクト抵抗 / コンタクト抵抗値の劣化 |
| キーワード(英) | p-type GaN / Ohmic contact / Ta/Ti contacts / contact resistance / deterioration of the ρ_c value |
| 資料番号 | ED98-145,CPM98-148 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low resistance Ta/Ti Ohmic contacts for p-type GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型GaN / p-type GaN |
| キーワード(2)（和/英） | オーム性電極 / Ohmic contact |
| キーワード(3)（和/英） | Ta/Ti電極 / Ta/Ti contacts |
| キーワード(4)（和/英） | コンタクト抵抗 / contact resistance |
| キーワード(5)（和/英） | コンタクト抵抗値の劣化 / deterioration of the ρ_c value |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 正明 / Masaaki Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川上 俊之 / Toshiyuki Kawakami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 知之 / Tomoyuki Arai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 節子 / Setsuko Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小出 康夫 / Yasuo Koide |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 村上 正紀 / Masanori Murakami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上村 俊也 / Toshiya Uemura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊田合成(株)オプトE事業部 Toyoda Gosei Co.Ltd., Optoelectronics Department |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 柴田 直樹 / Naoki Shibata |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 豊田合成(株)オプトE事業部 Toyoda Gosei Co.Ltd., Optoelectronics Department |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-145,CPM98-148 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |