| 講演名 | 1998/11/6 サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性 石川 博康, 中村 光一, 江川 孝志, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | サファイア基板上にAlGaN/GaNシングルヘテロ構造を成長して、成長層の格子定数をX線回折法により測定した。サファイア基板との熱膨張係数の違いにより室温で成長面に平行な二軸性圧縮応力を受けているGaNとその上に成長したGaNより薄いAlGaNの格子定数の関係を見積もったところ、1)AlNモル分率0.1より小さい範囲では圧縮応力が生ずる、2)AlNモル分率0.1でGaNと格子定数aが一致する、3)AlNモル分率が0.1以上では引っ張り応力が生ずる、という結果を得た。応力によって発生する歪みの方向が逆になるため、AlGaN内に発生するピエゾ電界はAlNモル分率0.1を境に反転する。また、AlGaN/GaNのホール効果測定を行った。77Kにおいてシートキャリア濃度はAlNモル分率の増加に単調に比例して高くなった。同温度において移動度はAlNモル分率0.064で最高の値となった。GaN、AlGaN両方共に圧縮応力を受けている状態でAlNモル分率が高い構造で高移動度が得られた。 |
| 抄録(英) | We fabricated AlGaN/GaN single-hetero structures on sapphire substrate and measured the lattice constant by X-ray analyses. GaN was under the biaxial compressive stress due to the difference of thermal expansion coefficient between GaN and sapphire substrate. When thin AlGaN was grown on such a strained GaN, AlGaN was 1)under the biaxial compressive stress below the AlN molar fraction of 0.1, 2)under stress-free with the AlN molar fraction of 0.1 and 3)under the biaxial tensile stress above the AlN molar fraction of 0.1. As the sign of the stress inverts, the strain-induced piezoelectric field inverts at the AlN molar fraction of 0.1. We also measured the sheet carrier concentration and the Hall mobility by Hall measurement. The sheet carrier concentration was increased with increasing in the AlN molar fraction at 77K. The high mobility was obtained with the AlN molar fraction of 0.064 at 77K. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / MOCVD / 歪み / ピエゾ電界 / 二次元電子ガス |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / MOCVD / strain / piezoelectric field / two dimensional electron gas |
| 資料番号 | ED98-144,CPM98-147 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Strain and electrical properties of AlGaN/GaN grown on sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(5)（和/英） | ピエゾ電界 / piezoelectric field |
| キーワード(6)（和/英） | 二次元電子ガス / two dimensional electron gas |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / H. ISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 光一 / K. NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / T. EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / T. JIMBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Technology and Urban Planning, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / M. UMENO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター:名古屋工業大学電気情報工学科 Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology:Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-144,CPM98-147 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |