| 講演名 | 1998/11/6 AlGaN/GaN HJFETの作製と評価 国弘 和明, 笠原 健資, 大久保 哲, 高橋 裕之, 大野 泰夫, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HJFETを作製し、素子の基本特性を確認するとともに電流ラグやキンクなど結晶や表面に起因する問題点を指摘した。用いたエピ結晶はMOVPEによってサファイヤ基板上に成長したものである。作製したHJFETは、ゲート長0.9μmでg_ |
| 抄録(英) | The preliminary performance and technical issues of AlGaN/GaN HJFETs grown by MOVPE on sapphire substrate are reported. The 0.9μm-gate devices exhibited the peak transconductance g_m of 52 mS/mm, the cut-off frequency f_T of 13 GHz, and the maximum oscillation frequency f_ |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / ヘテロ接合 / 高出力FET / マイクロ波 / 深い準位 / 衝突イオン化 |
| キーワード(英) | Nitride semiconductors / Heterojunction / Power FET / Microwave / Deep level / Impact ionization |
| 資料番号 | ED98-143,CPM98-146 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HJFETの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave Performance of AlGaN/GaN HJFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合 / Heterojunction |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力FET / Power FET |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(5)（和/英） | 深い準位 / Deep level |
| キーワード(6)（和/英） | 衝突イオン化 / Impact ionization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 国弘 和明 / K. Kunihiro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 笠原 健資 / K. Kasahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大久保 哲 / S. Ohkubo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 裕之 / Y. Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Y. Ohno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-143,CPM98-146 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |