| 講演名 | 1998/11/6 高温動作GaN MESFET 吉田 清輝, 鈴木 譲, |
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| 抄録(和) | ガスソースMBE成長法により高品質のGaNエピタキシャル膜を作成した。更に、GaN MESFETを試作した。FETのオーミック電極にAl/Ti系材料を用い、ゲート電極にPt系材料を用いた。その結果、良好なFET特性が得られた。このFETの耐圧は80V以上である。高温加熱による耐久特性を調べた結果、400℃において1000時間の長時間加熱後もFET特性が劣化せず、安定に保持することが確認された。更に400℃で300時間通電加熱試験を行った結果、FETの電流値は全く変化せず安定していることが確認され、GaN MESFETの高温デバイスとしての高い信頼性が実証された。 |
| 抄録(英) | A high quality GaN was grown using a gas-source molecular beam epitaxy(GSMBE). We fabricated GaN metal semiconductor field-effect transistor(MESFET). The thermal stress test of GaN MESFET at 400℃ was investigated. That is, GaN MESFET continued to operate after heating at 400℃ for 1000h. A life of FET at 400℃ was also examined by continuously current-injection at 400℃. We confirmed that the FET performance did not change at 400℃ for 300h. It was thus confirmed that GaN MESFET has a high reliability for high temperature operation. |
| キーワード(和) | GaN / GSMBE / MESFET / 高温動作 / ショットキー / オーミック |
| キーワード(英) | GaN / GSMBE / MESFET / high temperature operation / Schottky / ohmic |
| 資料番号 | ED98-142,CPM98-145 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温動作GaN MESFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High temperature operation GaN MESFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | GSMBE / GSMBE |
| キーワード(3)（和/英） | MESFET / MESFET |
| キーワード(4)（和/英） | 高温動作 / high temperature operation |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキー / Schottky |
| キーワード(6)（和/英） | オーミック / ohmic |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 清輝 / Seikoh Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河電気工業(株)横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 譲 / Joe Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河電気工業(株)横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-142,CPM98-145 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |