| 講演名 | 1998/11/6 MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性 江川 孝志, 石川 博康, 中村 光一, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | サファイア基板上に成長したGaNを用いてMESFETを作製した。MOCVD法により成長したGaN:Siは300K、77Kにおいて移動度は585、1217cm^2/V・sであり、このときのキャリア濃度は1.1x10^<17>、2.4x10^<16>cm^<-3>であった。このような高品質の薄膜を用いてゲート長2μm、ゲート幅200μmのGaN MESFETを作製したところ、室温にて281mA/mmという高い電流レベルと33mS/mmという高い相互コンダクタンスを得た。GaN MESFETの高温で測定した所ところ、gの低下、ゲートリークの増加、ピンチオフ特性の悪化など、特性の劣化が観察された。このGaN MESFETを室温で再び測定したところ、ゲートリークが若干増加したがほぼ元の特性が得られた。サイドゲート効果が観察されたが、これはチャネル下のアンドープGaNの深い準位に関連しているものと思われる。シート抵抗の均一性を調べたところ良好な均一性が得られた。サファイア基板上のGaNには高密度転位が観察されるが、これが及ぼす電気的特性の均一性への影響は少ないと考えられる。 |
| 抄録(英) | We fabricated the GaN MESFET on the sapphire substrate. Electron mobilities of GaN : Si grown by MOCVD were 585 and 1217 cm^2/V・s with electron carrier concentrations of 1.1x10^<17> and 2.4x10^<16> cm^<-3> at 300 and 77K, respectively. A high current level of 281 mA/mm and a large g_m of 33 mS/mm had been achieved for a GaN MESFET with a gate length of of 2μm and a width of 200μm at 25℃. The GaN MESFET at high temperature showed degraded characteristics : a low g_m, a gate leakage and a poor pinch-off. However, the GaN MESFET at 25℃ measured again after its measurement at 400℃ showed an initial characteristic in spite of the gate leakage. The GaN MESFET exhibited the sidegating effect, which was thought to be caused by the deep level in the undoped GaN layer beneath the channel layer. The uniformity of the sheet resistance seems to be insensitive to the high dislocation density in the GaN layer. |
| キーワード(和) | GaN / MESFET / MOCVD / ショットキーダイオード / サイドゲート効果 / 深い準位 |
| キーワード(英) | GaN / MESFET / MOCVD / Schottky diode / Sidegating effect / Deep level |
| 資料番号 | ED98-141,CPM98-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of MOCVD-grown GaN MESFET on sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MESFET / MESFET |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(5)（和/英） | サイドゲート効果 / Sidegating effect |
| キーワード(6)（和/英） | 深い準位 / Deep level |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 光一 / Kouichi NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi JIMBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Technology and Urban Planning, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / Masayoshi UMENO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター:名古屋工業大学電気情報工学科 Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology:Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-141,CPM98-144 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |