| 講演名 | 1998/11/6 RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善 倉井 聡, 久保 秀一, 杉田 泰一, 河辺 章, 山田 陽一, 田口 常正, |
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| 抄録(和) | RF-MBE法によるGaN成長において, 結晶成長終了後の降温条件を変化させ成長膜の特性評価を行った.AFM像の観察から, 高真空中あるいは窒素供給を行いながら降温した場合には, 結晶表面の平坦性が悪く, 窒素プラズマを照射しながら降温した場合には表面の荒れが抑えられていることが分かった.PL測定の結果, 降温時の窒素プラズマ照射により, エキシトン系発光の強度が増し, 深い準位からの発光が抑えられた良好なスペクトルが得られた.窒素ラジカル照射によりGaNからの窒素脱離が抑制され, それに伴い発光特性が改善されていることが示唆された. |
| 抄録(英) | We have studied the effect of nitrogen radical irradiation at cooling procedure of GaN growth by RF-MBE. From atomic force microscopy(AFM)measurements, the surface of GaN cooling under high vacuum or molecular nitrogen atmosphere was very rough compared with that cooling under nitrogen radical irradiation. Photoluminescence measurements were carried out at 4.2K. Luminescence intensity of the excitonic band increased by nitrogen radical irradiation ; in contrast, the yellow band decreased. These results indicate the improvements of structural and optical characteristics of GaN thin films by suppression of nitrogen desorption from GaN. |
| キーワード(和) | RF-MBE / GaN / 降温 / 窒素ラジカル / AFM / フォトルミネッセンス(PL) |
| キーワード(英) | RF-MBE / GaN / cooling procedure / nitrogen radical / atomic force microscopy / photoluminescence |
| 資料番号 | ED98-138,CPM98-141 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvements of structural and optical characteristics of RF-MBE grown GaN epitaxial thin films by nitrogen radical irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 降温 / cooling procedure |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素ラジカル / nitrogen radical |
| キーワード(5)（和/英） | AFM / atomic force microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | フォトルミネッセンス(PL) / photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 倉井 聡 / Satoshi Kurai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 秀一 / Shuichi Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 杉田 泰一 / Taiichi Sugita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河辺 章 / Akira Kawabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山田 陽一 / Yoichi Yamada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田口 常正 / Tsunemasa Taguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-138,CPM98-141 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |