講演名 | 1998/11/6 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大 反保 衆志, 朝日 一, 岩田 拡也, 広木 正伸, 浅見 久美子, 権田 俊一, |
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抄録(和) | GaNリッチGaNPをガスソースMBE法により(0001)サファイア基板上に成長した。GaNPのP組成はPH_3流量にはあまり依存しないが、成長温度の低下と共に増加することがわかった。得られた最大のP組成は0.08であり、このときのバンドギャップエネルギーは2.76eVであった。これは、青紫色は波長領域に対応する。バンドギャップエネルギーのP組成依存性は、成長温度750℃で成長したGaNP同様の大きなボーイングをおこし、そのボーイングパラメータは、9.31eVであった。 |
抄録(英) | GaN-rich GaNP was grown on sapphire(0001)plane by gas source MBE. P composition in GaNP increased with decreasing the substrate temperatures, although PH_3 flux did not influence with P composition so much. The maximum P composition obtained was 0.08 and its bandgap energy was 2.76 eV. It corresponds to blue-violet wavelength region. P composition dependence of bandgap energy grown at low substrate temperatures agreed with the dependence grown at 750℃. The bandgap energy bowing parameter was 9.31eV. |
キーワード(和) | GaNP / バンドギャップボーイング / 成長温度依存性 / 低温成長 |
キーワード(英) | GaN-rich GaNP / bandgap bowing / growth temperature dependence / low temperature growth |
資料番号 | ED98-136,CPM98-139 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Phosphorus composition increase in GaN-rich GaNP by gas source MBE |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaNP / GaN-rich GaNP |
キーワード(2)(和/英) | バンドギャップボーイング / bandgap bowing |
キーワード(3)(和/英) | 成長温度依存性 / growth temperature dependence |
キーワード(4)(和/英) | 低温成長 / low temperature growth |
第 1 著者 氏名(和/英) | 反保 衆志 / H. Tampo |
第 1 著者 所属(和/英) | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 朝日 一 / H. Asahi |
第 2 著者 所属(和/英) | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 岩田 拡也 / K. Iwata |
第 3 著者 所属(和/英) | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 広木 正伸 / M. Hiroki |
第 4 著者 所属(和/英) | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 浅見 久美子 / K. Asami |
第 5 著者 所属(和/英) | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 権田 俊一 / S. Gonda |
第 6 著者 所属(和/英) | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
発表年月日 | 1998/11/6 |
資料番号 | ED98-136,CPM98-139 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 386 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |