| 講演名 | 1998/11/6 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大 反保 衆志, 朝日 一, 岩田 拡也, 広木 正伸, 浅見 久美子, 権田 俊一, |
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| 抄録(和) | GaNリッチGaNPをガスソースMBE法により(0001)サファイア基板上に成長した。GaNPのP組成はPH_3流量にはあまり依存しないが、成長温度の低下と共に増加することがわかった。得られた最大のP組成は0.08であり、このときのバンドギャップエネルギーは2.76eVであった。これは、青紫色は波長領域に対応する。バンドギャップエネルギーのP組成依存性は、成長温度750℃で成長したGaNP同様の大きなボーイングをおこし、そのボーイングパラメータは、9.31eVであった。 |
| 抄録(英) | GaN-rich GaNP was grown on sapphire(0001)plane by gas source MBE. P composition in GaNP increased with decreasing the substrate temperatures, although PH_3 flux did not influence with P composition so much. The maximum P composition obtained was 0.08 and its bandgap energy was 2.76 eV. It corresponds to blue-violet wavelength region. P composition dependence of bandgap energy grown at low substrate temperatures agreed with the dependence grown at 750℃. The bandgap energy bowing parameter was 9.31eV. |
| キーワード(和) | GaNP / バンドギャップボーイング / 成長温度依存性 / 低温成長 |
| キーワード(英) | GaN-rich GaNP / bandgap bowing / growth temperature dependence / low temperature growth |
| 資料番号 | ED98-136,CPM98-139 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Phosphorus composition increase in GaN-rich GaNP by gas source MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaNP / GaN-rich GaNP |
| キーワード(2)（和/英） | バンドギャップボーイング / bandgap bowing |
| キーワード(3)（和/英） | 成長温度依存性 / growth temperature dependence |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成長 / low temperature growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 反保 衆志 / H. Tampo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 朝日 一 / H. Asahi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩田 拡也 / K. Iwata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 広木 正伸 / M. Hiroki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅見 久美子 / K. Asami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 権田 俊一 / S. Gonda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-136,CPM98-139 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |