| 講演名 | 1998/11/6 MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入 小川 雅弘, 石堂 輝樹, 船戸 充, 藤田 静雄, 藤田 茂夫, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相エピタキシャル成長法を用いて, GaAs(001)面上に立方晶GaN(c-GaN)を作製した。混入する六方晶GaNと成長条件との関係を調べたところ, 成長速度を0.4μm/hから1.2μm/hに増加することにより, c-GaN割合が最大の約90%になる温度域が700-800℃から850-900℃と高温側にシフトすることがわかった。六方晶成分の混入にマイグレーションが強く関与していることを示唆する結果であると考えられる。また, 構造的な面からも六方晶成分の低減を試み, 低温バッファ層を従来の1層から2層にすることにより, 立方晶GaN割合を98%まで増加させることができた。 |
| 抄録(英) | Cubic GaN(c-GaN)layers were grown on GaAs(001)substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. The relation between incorporation of hexagonal GaN(h-GaN)into c-GaN and growth conditions was investigated. As a result, it was found that by increasing the growth rate from 0.4μm/h to 1.2μm/h, the temperature region, where c-GaN composition reached maximum(90%), shifted from 700-800℃ to 850-900℃. This property was interpreted in terms of migration. Furthermore, efforts were devoted to reducing h-GaN incorporation from structural point of view : Using"double buffer layer structures"instead of the conventional single buffer layer structures, c-GaN composition could be increased up to 98%. |
| キーワード(和) | MOVPE / GaN / 立方晶 / 六方晶 / 成長速度 / バッファ層 |
| キーワード(英) | MOVPE / GaN / cubic / hexagonal / growth rate / buffer layer |
| 資料番号 | ED98-134,CPM98-137 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Incorporation of hexagonal GaN into cubic GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 立方晶 / cubic |
| キーワード(4)（和/英） | 六方晶 / hexagonal |
| キーワード(5)（和/英） | 成長速度 / growth rate |
| キーワード(6)（和/英） | バッファ層 / buffer layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小川 雅弘 / Masahiro Ogawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石堂 輝樹 / Teruki Ishido |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru Funato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤田 静雄 / Shizuo Fujita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤田 茂夫 / Shigeo Fujita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-134,CPM98-137 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |