| 講演名 | 1998/11/6 MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長 黒部 立郎, 須田 淳, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | これまでに我々は、トリエチルガリウム(TEGa)とRF励起の窒素ラジカルを用いた有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)法によりサファイア基板上に優れた光学特性を持つ立方晶GaNを得た。立方晶基板上の成長でも良好な立方晶GaNの成長が期待される。そこで今回、3C-SiC基板上におけるMOMBE成長を行い成長条件の最適化を行った。立方晶GaNの成長で問題とされている六方晶混入割合についてはXRDを用いて詳細に評価した。最適なV/III比で成長した試料からは良好な発光スペクトルが観測され、モフォロジーは比較的平坦であった。 |
| 抄録(英) | We have reported that cubic GaN(c-GaN)with good optical properties can be grown on a hexagonal sapphire substrate by metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)using triethyl-gallium(TEGa)and rf-excited active nitrogen. Judging from this, it is expected that c-GaN with good crystal quality can be obtained on a cubic substrate by this method. In this paper, the growth of c-GaN on a 3C-SIC substrate by MOMBE was performed for the first time. The composition of hexagonal inclusion was estimated by X-ray diffraction. The layer grown under optimized condition has good optical properties and relatively flat surface morphology. |
| キーワード(和) | 立方晶GaN / MOMBE / V/III比 / 六方晶混入 / ポリタイプ |
| キーワード(英) | cubic GaN / MOMBE / V/III ratio / hexagonal inclusion / polytype |
| 資料番号 | ED98-133,CPM98-136 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Cubic GaN by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 立方晶GaN / cubic GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOMBE / MOMBE |
| キーワード(3)（和/英） | V/III比 / V/III ratio |
| キーワード(4)（和/英） | 六方晶混入 / hexagonal inclusion |
| キーワード(5)（和/英） | ポリタイプ / polytype |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒部 立郎 / T. Kurobe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / J. Suda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/11/6 |
| 資料番号 | ED98-133,CPM98-136 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 386 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |