講演名 | 1998/11/6 MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長 黒部 立郎, 須田 淳, 松波 弘之, |
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抄録(和) | これまでに我々は、トリエチルガリウム(TEGa)とRF励起の窒素ラジカルを用いた有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)法によりサファイア基板上に優れた光学特性を持つ立方晶GaNを得た。立方晶基板上の成長でも良好な立方晶GaNの成長が期待される。そこで今回、3C-SiC基板上におけるMOMBE成長を行い成長条件の最適化を行った。立方晶GaNの成長で問題とされている六方晶混入割合についてはXRDを用いて詳細に評価した。最適なV/III比で成長した試料からは良好な発光スペクトルが観測され、モフォロジーは比較的平坦であった。 |
抄録(英) | We have reported that cubic GaN(c-GaN)with good optical properties can be grown on a hexagonal sapphire substrate by metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)using triethyl-gallium(TEGa)and rf-excited active nitrogen. Judging from this, it is expected that c-GaN with good crystal quality can be obtained on a cubic substrate by this method. In this paper, the growth of c-GaN on a 3C-SIC substrate by MOMBE was performed for the first time. The composition of hexagonal inclusion was estimated by X-ray diffraction. The layer grown under optimized condition has good optical properties and relatively flat surface morphology. |
キーワード(和) | 立方晶GaN / MOMBE / V/III比 / 六方晶混入 / ポリタイプ |
キーワード(英) | cubic GaN / MOMBE / V/III ratio / hexagonal inclusion / polytype |
資料番号 | ED98-133,CPM98-136 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 1998/11/6(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Growth of Cubic GaN by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 立方晶GaN / cubic GaN |
キーワード(2)(和/英) | MOMBE / MOMBE |
キーワード(3)(和/英) | V/III比 / V/III ratio |
キーワード(4)(和/英) | 六方晶混入 / hexagonal inclusion |
キーワード(5)(和/英) | ポリタイプ / polytype |
第 1 著者 氏名(和/英) | 黒部 立郎 / T. Kurobe |
第 1 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 須田 淳 / J. Suda |
第 2 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 松波 弘之 / H. Matsunami |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
発表年月日 | 1998/11/6 |
資料番号 | ED98-133,CPM98-136 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 386 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |