| 講演名 | 1998/11/5 ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製 小久保 敦史, 服部 哲也, 倉橋 将樹, 小口 裕嗣, 須原 理彦, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | 電子波干渉デバイスを実現するためには、ホットエレクトロンの干渉現象の観測が必要である。そこで、40nm周期埋め込みスリットと200nm周期検出電極による素子を作製し、磁場の下で100meVのホットエレクトロンの干渉電流の測定を行った。しかし、この構造では明確な干渉像を得ることができなかった。そこで、明確な干渉像を得ることのできる素子サイズを検討した。さらに、その必要とされる微細構造として、カリックスアレーンレジストによる25nm周期GaInAs/InP埋込みヘテロ構造と、PMMAとC60複合ZEP520の2層レジストによる80nm周期のCr/Au=10/30nmの80nm周期電極を作製した。 |
| 抄録(英) | To realize electron wave device, observation of the hot electron interference phenomena is important. We report grating experiment of hot electron in a semiconductor under magnetic field. The fabricated device consists of a 40-nm-pitch grating and a 200-nm-pitch electrode. The energy of hot electron is of the order of 100meV. However, the measured current could not shown clear hot electron interference phenomena. We study a structure that makes the observation of the hot electron interference phenomena simply. We reported a fabrication of a 25-nm-pitch GaInAs/InP buried heterostructure with Calixarene and an 80-nm-pitch electrode with 2-Layer resist consisted of PMMA and C60 incorporated ZEP-520, as a necessary fine structure. |
| キーワード(和) | 電子波干渉 / ホットエレクトロン / 電子ビーム露光 / GaInAs/InP埋込みヘテロ構造 / 微細電極 |
| キーワード(英) | electron wave interference / hot electron / electron beem lithography / GaInAs/InP buried hetrostructure / fine electrode |
| 資料番号 | ED98-132,CPM98-135 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホットエレクトロン干渉現象観測のための25nm周期埋込みヘテロ構造と80nm周期電極の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 25-nm-pitch buried hetrostructure and a 80-nm-pitch electrode for hot electron interference device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電子波干渉 / electron wave interference |
| キーワード(2)（和/英） | ホットエレクトロン / hot electron |
| キーワード(3)（和/英） | 電子ビーム露光 / electron beem lithography |
| キーワード(4)（和/英） | GaInAs/InP埋込みヘテロ構造 / GaInAs/InP buried hetrostructure |
| キーワード(5)（和/英） | 微細電極 / fine electrode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小久保 敦史 / A. Kokubo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気・電子工学科 Deperartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 服部 哲也 / T. Hattori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気・電子工学科 Deperartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 倉橋 将樹 / M. Kurahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気・電子工学科 Deperartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小口 裕嗣 / H. Oguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気・電子工学科 Deperartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 須原 理彦 / M. Suhara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Reserch Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Y. Miyamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気・電子工学科 Deperartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / K. Furuya |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電気・電子工学科 Deperartment of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-132,CPM98-135 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 385 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |