| 講演名 | 1998/11/5 選択MOMBE成長とその導波路集積型レーザーへの応用 杵築 弘隆, R Gibis, R Kaiser, H Kunzel, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 光導波路をモノリシックに集積した1.55/1.3μm帯長波長半導体レーザーへの応用を目的にMOMBE法によるInP/GaInAsP選択成長について検討した。MOMBE法の特徴を充分に引き出すために成長温度を485℃と低温に設定し、下地レーザー構造への熱による悪影響を極力抑制した。この制約の中で、Feドーピングによる高抵抗InP, GaInAsP層の成長、サーマルクリーニングの最適化、選択成長形状について検討を加え、選択成長による光導波路のファブリペローレーザーへの良好なバットジョイントを実現した。980μm長の導波路を集積したレーザーのしきい値電流の増加はわずか25%に抑制できた。選択MOMBE法は光集積デバイス対応の要素技術として極めて有望であると結論できる。 |
| 抄録(英) | Selective metalorganic molecular beam epitaxial(MOMBE)regrowth of InP/GaInAsP passive optical waveguide was studied to achieve butt coupling to the 1.55/1.3 μm emitting lasers. In order to extract the benefits of MOMBE technique, the substrate temperature was kept as low as 485℃ during regrowth which is suitable for suppressing the degradation of the laser performance and its reliability. In this restriction, iron doping into InP and GaInAsP, thermal cleaning procedure prior to regrowth, and growth features on RIE mesaetched laser structure were mainly investigated. The high quality butt coupling of passive waveguide on Fabry-Perot lasers was successfully demonstrated. An increase of the threshold current for 980 μm long passive waveguide integrated laser was only 25 percent as compared to the laser without an external waveguide. Selective MOMBE growth is confirmed to be promising for fabricating photonic integrated circuits. |
| キーワード(和) | 導波路集積型レーザー / MOMBE / 選択成長 / バットジョイント / 光集積デバイス |
| キーワード(英) | waveguide integrated lasers / MOMBE / selective growth / butt coupling / photonic integrated circuits |
| 資料番号 | ED98-131,CPM98-134 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択MOMBE成長とその導波路集積型レーザーへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective MOMBE growth and its application to waveguide integrated lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 導波路集積型レーザー / waveguide integrated lasers |
| キーワード(2)（和/英） | MOMBE / MOMBE |
| キーワード(3)（和/英） | 選択成長 / selective growth |
| キーワード(4)（和/英） | バットジョイント / butt coupling |
| キーワード(5)（和/英） | 光集積デバイス / photonic integrated circuits |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杵築 弘隆 / H. Kizuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光素子事業統括部:Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH High Frequency & Oprical Semiconductor Div.Mitsibishi Electric Corp.:Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | R Gibis / R. Gibis |
| 第 2 著者 所属（和/英） | Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | R Kaiser / R. Kaiser |
| 第 3 著者 所属（和/英） | Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | H Kunzel / H. Kunzel |
| 第 4 著者 所属（和/英） | Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-131,CPM98-134 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 385 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |