| 講演名 | 1998/10/30 二段階成長法によるSi(111)基板上へのInSbの成長 太田 新一, 菊池 誠一, |
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| 抄録(和) | 分子線蒸着法において二段階成長を行うことにより、Si(111)基板上に平坦表面と高電子移動度を持つInSb薄膜を得た。薄膜成長においては、Si基板上第1層目にSbが形成された場合は結晶品質を著しく損なうことが明らかとなった。また、その上に形成する予備成長層の成長条件が、最終的なInSb薄膜の特性及び形状に大きな影響を与えることが示された。 |
| 抄録(英) | The InSb films with high electron mobility values and flat surfeces were successfully obteined on Si (111) by using the two step growth technique in the moledular beam deposition. It was clearly shown that the first layer of Sb on the substrate surfece made the quality of InSb films to be degraded on the flatness of the surface and the electron mobility because of the generation of crystalline defects. Furthermore the relation between the quality of InSb and the growth conditions of InSb underlayer was also observed. |
| キーワード(和) | 分子線蒸着 / 二段階成長 / InSb / Si(111) / 磁気抵抗素子 |
| キーワード(英) | molecular beam deposition / two step growth / InSb / Si (111) / magnetoresistive element |
| 資料番号 | CPM98-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1998/10/30(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 二段階成長法によるSi(111)基板上へのInSbの成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of InSb on Si (111) by Two-Step Growth Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分子線蒸着 / molecular beam deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 二段階成長 / two step growth |
| キーワード(3)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(4)（和/英） | Si(111) / Si (111) |
| キーワード(5)（和/英） | 磁気抵抗素子 / magnetoresistive element |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太田 新一 / Shin-ichi OHTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本精機株式会社R&Dセンター R&D Center, Nippon Seiki Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊池 誠一 / Seiichi KIKUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本精機株式会社R&Dセンター R&D Center, Nippon Seiki Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/10/30 |
| 資料番号 | CPM98-125 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 377 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |